10月23日，常州縱慧芯光半導體科技有限公司（下文簡稱“縱慧芯光”）正式宣布，公司旗下“3英寸化合物半導體芯片制造項目”已完成封頂。
據此前中電三公司與武進日報披露，該項目總投資5.5億元，規(guī)劃用地40畝，預計明年1月投產，達產后將形成年產3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計約5000萬顆的生產能力。
source：縱慧芯光
資料顯示，縱慧芯光成立于2015年，致力于垂直腔面激光發(fā)射器（VCSEL）的研發(fā)、設計、生產和制造。企業(yè)自有6寸外延產線，可實現每月2000片6寸砷化鎵外延片的量產產能，并建有封裝產線。公司產品主要應用于消費電子，汽車電子，光通訊等領域。
企查查顯示，截至目前，縱慧芯光已完成了多輪融資。其中，能見到不少知名大企的身影——2020年6月，華為旗下投資平臺哈勃投資入股了該公司；隨后，小米于2020年12月對其進行了投資；比亞迪也參與了縱慧芯光2021年、2022年的兩輪融資。
值得一提的是，同獲得華為哈勃投資的長光華芯，公司旗下化合物半導體光電子平臺項目也于9月封頂。
該項目將打造先進化合物半導體光電子研發(fā)生產平臺，進行氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等激光器和探測器用2-3英寸芯片產線建設及器件封裝等。建成后，將具備年產1億顆芯片、500萬器件的能力。項目于2023年12月開工，預計2025年建成并全面投產。（集邦化合物半導體Morty整理）
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