11月14日，天岳先進(jìn)官微披露，2024德國(guó)慕尼黑半導(dǎo)體展覽會(huì)（Semicon Europe 2024）于11月12日正式開(kāi)幕，天岳先進(jìn)攜全系列碳化硅（SiC）襯底產(chǎn)品亮相，并于11月13日發(fā)布了12英寸（300mm）N型碳化硅襯底產(chǎn)品，標(biāo)志著碳化硅產(chǎn)業(yè)正式邁入超大尺寸碳化硅襯底時(shí)代。
source：天岳先進(jìn)
據(jù)介紹，12英寸碳化硅襯底材料，能夠進(jìn)一步擴(kuò)大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，大幅提升合格芯片產(chǎn)量。在同等生產(chǎn)條件下，顯著提升產(chǎn)量，降低單位成本，進(jìn)一步提升經(jīng)濟(jì)效益，為碳化硅材料的更大規(guī)模應(yīng)用提供可能。
另?yè)?jù)天岳先進(jìn)官微消息，天岳先進(jìn)近日向客戶成功交付高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底。天岳先進(jìn)表示，高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底將加速高性能SiC-IGBT的發(fā)展進(jìn)程，實(shí)現(xiàn)高端特高壓功率器件國(guó)產(chǎn)化。
據(jù)介紹，針對(duì)高壓大功率電力電子器件用P型碳化硅單晶襯底存在的成本高、電阻率高、缺陷控制難度大等技術(shù)難題，天岳先進(jìn)布局液相法技術(shù)，在2023年發(fā)布了8英寸碳化硅晶體，并于2024年推出了采用液相法制備的4度偏角P型碳化硅襯底。
據(jù)悉，液相法具有生長(zhǎng)高品質(zhì)晶體的優(yōu)勢(shì)，在長(zhǎng)晶原理上決定了可以生長(zhǎng)超高品質(zhì)的碳化硅晶體。天岳先進(jìn)目前在液相法領(lǐng)域獲得了低貫穿位錯(cuò)和零層錯(cuò)的碳化硅晶體。其通過(guò)液相法制備的P型4度偏角碳化硅襯底，電阻率小于200mΩ·cm，面內(nèi)電阻率分布均勻，結(jié)晶性良好。（來(lái)源：天岳先進(jìn)，集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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