天眼查資料顯示，近日，天岳先進(jìn)、超芯星兩家廠商公開了多項(xiàng)碳化硅晶體相關(guān)專利。
天岳先進(jìn)公開2項(xiàng)碳化硅晶棒制備專利
天眼查資料顯示，12月3日，天岳先進(jìn)公開一項(xiàng)“一種曲率半徑大且分布均勻的4H碳化硅晶棒及制備方法和應(yīng)用”專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119061481A，申請(qǐng)日期為2024年11月1日。
該專利摘要顯示，本申請(qǐng)公開了一種曲率半徑大且分布均勻的4H碳化硅晶棒及制備方法和應(yīng)用，屬于4H碳化硅晶棒制備技術(shù)領(lǐng)域。該4H碳化硅晶棒在任意位置處的電阻率均大于12mΩ·cm且小于15mΩ·cm，其切割得到的碳化硅晶片的曲率半徑均大于800m，且切割得到的碳化硅晶片在軸向上曲率半徑分布函數(shù)為CR=ey+fy2+gy3+h。該4H碳化硅晶棒在降低電阻率的同時(shí)提高切割所得的碳化硅晶片的曲率半徑，且同一4H碳化硅晶棒制備得到的碳化硅晶片的曲率半徑分布均勻，可顯著提高利用該材料制備得到的器件的穩(wěn)定性。
11月29日，天岳先進(jìn)還公開一項(xiàng)“一種大尺寸、低電阻4H碳化硅晶棒、低電阻4H碳化硅晶片及制備方法”專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119041030A，申請(qǐng)日期為2024年11月1日。
該專利摘要顯示，本申請(qǐng)公開了一種大尺寸、低電阻4H碳化硅晶棒、低電阻4H碳化硅晶片及制備方法，屬于N型碳化硅單晶材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該4H碳化硅晶棒的厚度為15mm以上，所述4H碳化硅晶棒任意位置處的電阻率大于12mΩ·cm且小于15mΩ·cm，且所述4H碳化硅晶棒面內(nèi)的電阻率差值在0.5mΩ·cm以下，所述4H碳化硅晶棒的硅面與碳面的電阻率差值在1mΩ·cm以下。該4H碳化硅晶棒的電阻率低于現(xiàn)有的產(chǎn)品，且面內(nèi)及軸向電阻率分布更均勻，有利于器件整體導(dǎo)通電阻的降低，為提高4H碳化硅晶片質(zhì)量及器件性能提供了新的方案。
在碳化硅業(yè)務(wù)進(jìn)展方面，天岳先進(jìn)于11月13日發(fā)布了12英寸（300mm）N型碳化硅襯底產(chǎn)品，標(biāo)志著碳化硅產(chǎn)業(yè)正式邁入超大尺寸碳化硅襯底時(shí)代。
超芯星公開碳化硅晶體生長(zhǎng)方法專利
12月3日，超芯星公開一項(xiàng)“一種碳化硅晶體的生長(zhǎng)方法及生長(zhǎng)裝置”專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119061469A，申請(qǐng)日期為2024年8月29日。
該專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種碳化硅晶體的生長(zhǎng)方法及生長(zhǎng)裝置，屬于碳化硅晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域。碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置包括長(zhǎng)晶爐體，長(zhǎng)晶爐體內(nèi)設(shè)置有單側(cè)開口的石英管，石英管的開口端部密封安裝有密封件；石英管的生長(zhǎng)腔室內(nèi)設(shè)置有坩堝組件，坩堝組件具有第一腔室和第二腔室，第二腔室位于第一腔室的內(nèi)側(cè)；坩堝組件具有進(jìn)氣口、進(jìn)氣通道、出氣口和出氣通道，進(jìn)氣通道的進(jìn)氣端連通氣源，氣源和密封件之間的管路上設(shè)置有電動(dòng)針閥；出氣通道的出氣端連通真空泵，真空泵和密封件之間的管路上設(shè)置有電動(dòng)球閥；密封件上開設(shè)有測(cè)壓孔，用于外接真空計(jì)，真空計(jì)連接PID控制器的輸入端，用于調(diào)控生長(zhǎng)腔室的壓力；長(zhǎng)晶爐體外接有真空系統(tǒng)。
在碳化硅業(yè)務(wù)方面，去年7月，超芯星6英寸碳化硅襯底進(jìn)入美國(guó)一流器件廠商，由此成功打入美國(guó)市場(chǎng)；同年，超芯星成功研制出8英寸碳化硅襯底；今年7月，超芯星在官微宣布，公司已與國(guó)內(nèi)知名下游客戶簽訂了8英寸碳化硅深度戰(zhàn)略合作協(xié)議。為滿足國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)需求，超芯星計(jì)劃將6-8英寸碳化硅襯底的年產(chǎn)量提升至150萬(wàn)片。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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