12月9日，龍巖市融媒體中心發(fā)布消息稱，福建晶旭半導體科技有限公司（以下簡稱：晶旭半導體）二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目，已完成主體廠房建設(shè)，正在進行內(nèi)外墻的裝修，預(yù)計年后進入機電暖通、安裝工程及精裝修工程。
據(jù)悉，該項目總投資16.8億元，建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)，于2023年12月開工建設(shè)。據(jù)稱項目將建成全球首條超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產(chǎn)線，建成后將填補國內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白。
據(jù)“睿悅投資”消息，截至日前，福建晶旭半導體有限公司年產(chǎn)能75萬片氧化鎵外延生產(chǎn)基地，主體結(jié)構(gòu)已全部封頂，預(yù)計明年可以達到初步生產(chǎn)使用狀態(tài)。
公開資料顯示，晶旭半導體是一家專注于5G通信中高頻體聲波濾波芯片（BAW）全鏈條技術(shù)、以IDM模式運行的廠商。其核心技術(shù)是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片。（集邦化合物半導體整理）
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