12月18日，據(jù)長(zhǎng)飛先進(jìn)官微消息，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目首批設(shè)備搬入儀式于光谷科學(xué)島舉辦。
source：長(zhǎng)飛先進(jìn)
據(jù)介紹，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目本次搬入的設(shè)備涵蓋芯片制造各個(gè)環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等。目前，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目正推進(jìn)建設(shè)并對(duì)設(shè)備進(jìn)行安裝調(diào)試，預(yù)計(jì)2025年5月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)通線。
據(jù)長(zhǎng)飛先進(jìn)官微此前消息，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過(guò)200億元，占地面積約22.94萬(wàn)㎡，建筑面積約30.15萬(wàn)㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動(dòng)力廠房、成品庫(kù)、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。項(xiàng)目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬(wàn)片碳化硅晶圓及外延、6100萬(wàn)個(gè)功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、充電樁等領(lǐng)域。
據(jù)了解，近期除長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地外，還有2個(gè)碳化硅芯片/模塊項(xiàng)目披露了最新進(jìn)展，分別位于江蘇東臺(tái)、福建廈門。
11月21日，相關(guān)環(huán)保網(wǎng)披露的文件顯示，士蘭微旗下廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司碳化硅功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目已驗(yàn)收。該項(xiàng)目依托現(xiàn)有廠房，新增一條SiC產(chǎn)線，主要生產(chǎn)SiC功率芯片產(chǎn)品。項(xiàng)目新增SiC產(chǎn)能規(guī)模為MOSFET芯片28.8萬(wàn)片/年、SBD芯片28.8萬(wàn)片/年。
12月6日，瑞福芯科技“車規(guī)級(jí)SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”落地東臺(tái)高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，公司與東臺(tái)高新區(qū)正式簽署了《投資協(xié)議》、《補(bǔ)充協(xié)議》。投資協(xié)議顯示，整個(gè)項(xiàng)目投資10-15億元，分兩期實(shí)施，首期投資3億元。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac）
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