11月20日，據(jù)三菱電機官網(wǎng)消息，三菱電機將投資約100億日元（約4.67億人民幣）在日本福岡縣的功率器件制作所建設一座新的功率半導體模塊封裝與測試工廠。該工廠最初于2023年3月14日宣布，預計于2026年10月開始運營。
source：三菱電機
作為功率半導體模塊封裝與測試工序的主要工廠，該工廠將整合以前分散的封裝和測試生產(chǎn)線，以簡化從零部件進貨到制造和最終發(fā)貨的生產(chǎn)流程。將實施新系統(tǒng)，以實現(xiàn)制造流程管理和產(chǎn)品運輸?shù)淖詣踊瑥亩岣呱a(chǎn)率。此外，三菱電機將加強從設計、開發(fā)和生產(chǎn)技術驗證到制造的一體化系統(tǒng)，以增強產(chǎn)品開發(fā)能力。
三菱電機期望新工廠能夠支持其快速穩(wěn)定地供應產(chǎn)品，以滿足市場對功率半導體需求的預期增長。
在功率半導體業(yè)務方面，三菱電機近日宣布，其于11月14日開始提供用于電動汽車（EV）、插電式混合動力汽車（PHEV）和其他電動汽車（xEV）電驅(qū)逆變器的碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）裸片樣品。
這是三菱電機首款標準規(guī)格的SiC-MOSFET功率半導體芯片，這款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸片結(jié)合了特有的芯片結(jié)構和制造技術，有助于提升逆變器性能、延長續(xù)航里程和提高xEV的能源效率。
根據(jù)三菱電機披露的消息，其此次發(fā)布的新型功率半導體芯片是一種特有的溝槽柵SiC-MOSFET，與傳統(tǒng)的平面柵SiC-MOSFET相比，其功率損耗降低了約50%。
據(jù)悉，三菱電機于1997年開始量產(chǎn)用于xEV的功率半導體模塊，并已應用于各種電動汽車（EV）和混合動力電動汽車（HEV）。（集邦化合物半導體Zac整理）
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