12月21日，兆馳股份發(fā)布公告，擬投資新建光通信半導體激光芯片項目并建設砷化鎵、磷化銦化合物半導體激光晶圓制造生產線。
根據公告，兆馳股份擬通過全資子公司兆馳半導體或其下屬子公司以自有資金或自籌資金投資建設“年產1億顆光通信半導體激光芯片項目（一期）”，并建設砷化鎵、磷化銦化合物半導體激光晶圓制造生產線，主要應用為光芯片技術領域的VCSEL激光芯片及光通信半導體激光芯片。本次投資為項目一期，項目一期建設擬投資金額不超過5億元。
資料顯示，兆馳半導體目前專注于氮化鎵和砷化鎵LED外延及芯片的研發(fā)、生產及銷售，產品線涵蓋全色系LED芯片，廣泛應用于半導體照明、背光、超高清顯示等多個領域。自2023年起，兆馳半導體進一步布局光通信領域，已初步建立起涵蓋終端光通訊器件、模塊及核心原材料芯片的垂直產業(yè)鏈。
近期，國內還有多個砷化鎵、磷化銦芯片相關項目披露了最新進展，分別由縱慧芯光、芯辰半導體等廠商主導建設。
10月23日，縱慧芯光正式宣布，旗下“3英寸化合物半導體芯片制造項目”已完成封頂。該項目總投資5.5億元，規(guī)劃用地40畝，預計明年1月投產，達產后將形成年產3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計約5000萬顆的生產能力。
另據“勢能資本”消息，芯辰半導體外延設備已于近日投產，覆蓋砷化鎵及磷化銦光芯片四元化合物全材料體系。芯辰半導體專注于生產VCSEL和EEL激光器芯片，致力于在江蘇太倉打造砷化鎵和磷化銦系光芯片自主制造基地，其產品廣泛應用于光通信、激光雷達等領域。（集邦化合物半導體Zac整理）
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