文章分類： 企業(yè)

布局GaN，臺達電子攜手TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 25 日 9:03 |
| 分類: 企業(yè)
6月21日，臺達電子宣布與全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商德州儀器（TI）成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室。 臺達表示，此舉不僅深化雙方長期合作關(guān)系，亦可憑借TI在數(shù)字控制及氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域多年的豐富經(jīng)驗及創(chuàng)新技術(shù)，強化新一代電動車電源系統(tǒng)的功率密度和效能等優(yōu)勢，增強臺達在電動車領(lǐng)域的核心競...  [詳內(nèi)文]

“科創(chuàng)板八條”發(fā)布，第三代半導(dǎo)體現(xiàn)2起并購

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 24 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè)
除了技術(shù)研發(fā)實力、資金等方面，利好政策扶持也是企業(yè)實現(xiàn)良性發(fā)展不可或缺的重要保障。6月19日，證監(jiān)會發(fā)布《關(guān)于深化科創(chuàng)板改革 服務(wù)科技創(chuàng)新和新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展的八條措施》（以下簡稱《八條措施》），其中第四條措施為更大力度支持并購重組。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 具體來看，第四條措施...  [詳內(nèi)文]

南砂晶圓8英寸碳化硅北方基地正式投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 24 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè)
盡管目前市場上SiC襯底產(chǎn)品仍然以6英寸為主，8英寸尚未大規(guī)模普及，但國內(nèi)SiC襯底頭部廠商普遍都在積極布局8英寸，其中就包括南砂晶圓。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 早在2022年9月，南砂晶圓就聯(lián)合山東大學(xué)成功實現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底的制備，采用物理氣相傳輸法（P...  [詳內(nèi)文]

碳化硅材料廠商晶彩科技新項目落戶浙江

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 21 日 17:12 |
| 分類: 企業(yè)
6月21日，紹興晶彩科技有限公司（下文簡稱“晶彩科技”）宣布，公司投資的第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底專用原輔料關(guān)鍵材料產(chǎn)業(yè)化項目于近日簽約紹興柯橋。 source：彩晶科技 據(jù)介紹，該項目自主研發(fā)并攻克原位合成高純碳化硅多晶粉體技術(shù)，產(chǎn)品具有超高純度（6N及以上）、粒徑尺寸及均一性、...  [詳內(nèi)文]

價格超24億，Transphorm正式被收購

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 21 日 17:08 |
| 分類: 企業(yè)
今（21）日，瑞薩電子宣布，公司已完成對Transphorm的收購。 據(jù)了解，今年1月11日，瑞薩電子與Transphorm共同宣布雙方已達成最終收購協(xié)議，瑞薩電子將以約3.39億美元（折合人民幣24.6億元）的價格收購Transphorm。 source：拍信網(wǎng) 資料顯示，...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed德國工廠開工時間延后兩年

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 20 日 17:42 |
| 分類: 企業(yè)
6月20日消息，Wolfspeed推遲了在德國建設(shè)價值30億美元工廠的計劃。Wolfspeed一位發(fā)言人表示，該公司計劃在德國薩爾州建立的工廠將生產(chǎn)用于電動汽車的計算機芯片，該工廠尚未完全被取消，該公司仍在尋求資金。 source：Wolfspeed 但該發(fā)言人補充說，由于歐洲...  [詳內(nèi)文]

增資20億美元，安森美擴產(chǎn)SiC功率器件

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 20 日 14:50 |
| 分類: 企業(yè)
為滿足SiC功率器件不斷增長的市場需求、提升企業(yè)競爭力，各大SiC功率器件廠商在投資擴產(chǎn)方面動作頻頻。作為頭部玩家，onsemi（安森美）也在近日大手筆提升產(chǎn)能。 6月19日，安森美宣布將在捷克共和國建造先進的垂直整合SiC制造工廠。該工廠將生產(chǎn)安森美的智能功率半導(dǎo)體，這些功率半...  [詳內(nèi)文]

定制開發(fā)SiC芯片，清純半導(dǎo)體與悉智科技達成戰(zhàn)略合作

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 20 日 14:50 |
| 分類: 企業(yè)
在SiC加速“上車”大趨勢下，各大SiC相關(guān)企業(yè)紛紛加速SiC車載應(yīng)用產(chǎn)品研發(fā)，近日，又有兩家廠商加入其中。 6月20日，據(jù)清純半導(dǎo)體官微披露，清純半導(dǎo)體日前與悉智科技在清純半導(dǎo)體寧波總部簽訂車載電驅(qū)功率模塊&供電電源模塊用SiC芯片定制開發(fā)戰(zhàn)略合作協(xié)議。 source...  [詳內(nèi)文]

啟方半導(dǎo)體計劃年內(nèi)完成開發(fā)650V GaN HEMT

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 20 日 14:48 |
| 分類: 企業(yè)
據(jù)外媒報道，6月19日，韓國8英寸純晶圓代工廠SK Key Foundry（啟方半導(dǎo)體）宣布，公司已確認650伏氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的特性，正加大開發(fā)力度，預(yù)計年內(nèi)完成開發(fā)。 因GaN具有高速開關(guān)和低電阻特性，它被稱為下一代功率半導(dǎo)體，比現(xiàn)有的硅（S...  [詳內(nèi)文]

超200億，長飛先進和晶能微電子SiC項目進度刷新

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 19 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè)
繼6月18日，總投資120億元的士蘭微8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線開工后，又有兩個SiC相關(guān)項目披露了最新進展。 長飛先進武漢基地正式封頂 6月19日，據(jù)長飛先進官微消息顯示，年產(chǎn)36萬片SiC晶圓的長飛先進武漢基地日前正式完成主體結(jié)構(gòu)封頂。 source：長飛先進 據(jù)悉...  [詳內(nèi)文]