文章分類: 企業(yè)

SiC/GaN外延廠百識(shí)電子完成A+輪投資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 11 日 17:50 |
| 分類: 企業(yè)
3月11日,南京百識(shí)電子科技有限公司(下文簡稱“百識(shí)電子”)宣布,公司已完成A+輪融資,多家知名機(jī)構(gòu)參投。 據(jù)介紹,百識(shí)電子成立于2019年,可提供6吋碳化硅(SiC),以及6吋、 8吋硅基氮化鎵(GaN-on-Si)專業(yè)外延代工服務(wù)。 百識(shí)電子指出,2023年公司外延工藝和技術(shù)...  [詳內(nèi)文]

東芝開始量產(chǎn)第三代1700V SiC MOSFET模塊

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 11 日 11:01 |
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3月6日,東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(下文簡稱“東芝”)宣布,公司已開始批量生產(chǎn)用于工業(yè)設(shè)備的第三代碳化硅(SiC)1700 V、漏極電流(DC)額定值為250 A的SiC MOSFET模塊“MG250V2YMS3”,并擴(kuò)大了產(chǎn)品陣容。 source:東芝 據(jù)介紹,新產(chǎn)品M...  [詳內(nèi)文]

SiC企業(yè)安森德與高校合作建立實(shí)驗(yàn)室

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 11 日 11:00 |
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3月6日,安森德半導(dǎo)體(下文簡稱“安森德”)官微發(fā)文稱,“南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院-安森德半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”(以下簡稱“聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”)于近日在南科大微電子學(xué)院正式揭牌。 source:南方科技大學(xué) 安森德表示,聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的成立,標(biāo)志著雙方將在電源管理及模擬芯片設(shè)計(jì)等技術(shù)領(lǐng)域的...  [詳內(nèi)文]

希爾電子功率半導(dǎo)體新項(xiàng)目廠房預(yù)計(jì)下半年投用

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 07 日 17:49 |
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3月5日,據(jù)“樂山發(fā)布”消息,位于四川樂山高新區(qū)的希爾電子功率半導(dǎo)體新項(xiàng)目廠房預(yù)計(jì)在今年下半年逐步投用,屆時(shí)該公司將新增4個(gè)品類的生產(chǎn)線。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉,自2000年5月成立以來,希爾電子專注于功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、制造及銷售,擁有從芯片設(shè)計(jì)、制造到器件研發(fā)、...  [詳內(nèi)文]

晶湛半導(dǎo)體GaN外延片生產(chǎn)擴(kuò)建項(xiàng)目竣工驗(yàn)收

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 07 日 17:47 |
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近日,據(jù)“獨(dú)墅湖科創(chuàng)區(qū)發(fā)布”官微消息,晶湛半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)外延片生產(chǎn)擴(kuò)建項(xiàng)目已于2024年1月15日取得竣工驗(yàn)收備案證。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉,該項(xiàng)目占地面積16.5畝,總建筑面積2.2萬平方米,總投資2.8億元,預(yù)計(jì)年產(chǎn)6英寸GaN外延片12萬片,8英寸GaN...  [詳內(nèi)文]

華潤微:SiC目前產(chǎn)能達(dá)到2500片/月

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 07 日 17:43 |
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近日,華潤微接受投資機(jī)構(gòu)調(diào)研,介紹了公司SiC、GaN等產(chǎn)品進(jìn)展情況。 SiC方面,據(jù)華潤微介紹,公司SiC產(chǎn)品包括SiC MOSFET、SiC JBS以及SiC模塊產(chǎn)品。其中,SiC MOSFET、SiC JBS在新能源汽車、充電樁、光伏、儲(chǔ)能等領(lǐng)域的頭部客戶均實(shí)現(xiàn)規(guī)模上量,S...  [詳內(nèi)文]

成本降低75%,SiC公司Gaianixx再獲得1700萬元融資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 07 日 10:25 |
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3月6日,日本東京大學(xué)初創(chuàng)企業(yè)Gaianixx Co., Ltd宣布,公司在B輪第二輪融資中籌集了3.5億日元(折合人民幣1700萬元)。 公開資料顯示,Gaianixx專注于開發(fā)、制造和銷售“多能中間膜”和外延膜。公司旗下“多能中間膜”可用于生產(chǎn)調(diào)節(jié)電壓和電流的功率半導(dǎo)體。該技...  [詳內(nèi)文]

80億元,天域半導(dǎo)體SiC外延項(xiàng)目預(yù)計(jì)今年4月投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 06 日 18:00 |
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2023年3月17日,東莞市2023年首批重大項(xiàng)目動(dòng)工儀式在松山湖天域半導(dǎo)體項(xiàng)目現(xiàn)場舉行,啟動(dòng)天域半導(dǎo)體、光大半導(dǎo)體、比亞迪汽車零部件等60個(gè)重大項(xiàng)目建設(shè)。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 其中,天域半導(dǎo)體總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目投資額達(dá)80億元,為此次園區(qū)集中動(dòng)工項(xiàng)目中...  [詳內(nèi)文]

降本增效,德州儀器轉(zhuǎn)型8英寸GaN工藝

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 06 日 18:00 |
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德州儀器(TI)近日披露了在GaN功率器件工藝方面新的戰(zhàn)略規(guī)劃,該公司正在將其GaN-on-Si生產(chǎn)工藝從6英寸向8英寸過渡。 source:德州儀器 TI從6英寸轉(zhuǎn)型8英寸 3月5日,TI韓國總監(jiān)Ju-Yong Shin表示,TI正在美國達(dá)拉斯、日本會(huì)津和其他地方興建8英寸晶圓...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科擬赴港上市

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 06 日 17:50 |
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3月5日,據(jù)《路透社》旗下IFR報(bào)道,英諾賽科正計(jì)劃最早于今年內(nèi),在香港進(jìn)行IPO,融資規(guī)模約3億美元。 消息還指出,英諾賽科正與中金公司、招銀國際就上市一事進(jìn)行合作。 據(jù)悉,英諾賽科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)。而...  [詳內(nèi)文]