文章分類： 企業(yè)

高測(cè)股份8英寸SiC金剛線切片機(jī)再拿新訂單

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 10 日 17:04 |
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近日，高硬脆材料切割服務(wù)商青島高測(cè)科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“高測(cè)股份”）8英寸碳化硅（SiC）金剛線切片機(jī)再拿新訂單，基本覆蓋新增8英寸金剛線切片產(chǎn)能需求。 資料顯示，高測(cè)股份成立于2006年10月，并于2020年8月7日登陸科創(chuàng)板A股。公司主要經(jīng)營(yíng)光伏切割設(shè)備、光伏切割耗材、...  [詳內(nèi)文]

寶馬與GaN柵極驅(qū)動(dòng)器頭部廠商Allegro達(dá)成合作

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 10 日 17:03 |
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Allegro MicroSystems于近日宣布，寶馬集團(tuán)已選擇Allegro作為其所有電池驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車車型牽引逆變器系統(tǒng)唯一的電流傳感器IC供應(yīng)商。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 資料顯示，Allegro是一家傳感器和專用模擬功率IC無晶圓廠制造商，該公司的產(chǎn)品組合可為車輛電氣...  [詳內(nèi)文]

提升GaN定位，Transphorm推出TOLL封裝FET

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 10 日 11:31 |
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Transphorm近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN FET，導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備...  [詳內(nèi)文]

安世半導(dǎo)體出售NWF晶圓廠，美國(guó)SiC廠商接盤

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 09 日 18:05 |
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11月9日，美國(guó)半導(dǎo)體廠商Vishay?Intertechnology已同意以1.77億美元現(xiàn)金，從安世半導(dǎo)體（Nexperia）手中收購(gòu)英國(guó)Newport?Wafer?Fab（NWF）晶圓制造工廠——一座占地28英畝的車規(guī)級(jí)8英寸晶圓加工廠。 從安世半導(dǎo)體收購(gòu)NWF到出售，僅僅...  [詳內(nèi)文]

致能科技首發(fā)1200V D-Mode氮化鎵器件平臺(tái)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 09 日 17:35 |
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11月8日，廣東致能科技有限公司首發(fā)1200V 耗盡型（D-Mode）高可靠性氮化鎵（GaN）器件平臺(tái)。在滿足1200V系統(tǒng)可靠性條件下，本征擊穿已經(jīng)達(dá)到2400V，可用于工業(yè)、新能源、汽車等領(lǐng)域。 資料顯示，致能科技成立于2018年12月，公司總部位于廣州，在徐州、深圳、上海等...  [詳內(nèi)文]

全球首個(gè)100mm的金剛石晶圓面世

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 08 日 14:56 |
| 分類: 企業(yè)
近日，總部位于加利福尼亞州舊金山的Diamond Foundry Inc宣布制造出了世界上第一塊直徑為100毫米的單晶金剛石晶圓。 該公司計(jì)劃提供金剛石基板作為改善熱性能的途徑，這反過來又可以改善人工智能計(jì)算和無線通信以及更小的電力電子設(shè)備。 該公司使用一種稱為異質(zhì)外延的工藝來沉...  [詳內(nèi)文]

電裝5億美元入股SiC晶圓制造企業(yè)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 07 日 17:31 |
| 分類: 企業(yè)
11月6日，株式會(huì)社電裝（Denso）宣布對(duì)Coherent的子公司SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC注資5億美元，入股后，電裝將獲得該公司12.5%的股權(quán)。電裝本次投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長(zhǎng)期穩(wěn)定采購(gòu)。 關(guān)于本次投資，市場(chǎng)方面早有相關(guān)消息傳出。今...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體再度打入三星供應(yīng)鏈

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 06 日 13:50 |
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納微半導(dǎo)體近日宣布再度進(jìn)入三星供應(yīng)鏈：納微GaNFast GaN功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用。作為下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)，GaN正持續(xù)取代傳統(tǒng)Si功率芯片在移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車的市場(chǎng)份額。 據(jù)介紹，為支撐強(qiáng)大的性能，Galaxy S23配備一...  [詳內(nèi)文]

宏微科技：SiC MOS已出樣，成品預(yù)計(jì)明年交付

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 06 日 13:47 |
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宏微科技近日在接受結(jié)構(gòu)調(diào)研時(shí)稱，公司生產(chǎn)的SiC二極管已在客戶端開展驗(yàn)證工作，SiC MOS實(shí)現(xiàn)樣品產(chǎn)出，預(yù)計(jì)于2024年第一季度將成品交付客戶使用。 此外，在被問及液冷充電樁項(xiàng)目時(shí)，宏微科技表示：液冷充電樁需應(yīng)用SiC器件產(chǎn)品，目前公司的SiC器件產(chǎn)品正在開發(fā)階段，預(yù)計(jì)2024...  [詳內(nèi)文]

德州儀器又一12吋晶圓廠動(dòng)工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 03 日 14:28 |
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德州儀器(TI)今天表示，其位于美國(guó)猶他州李海的新12吋半導(dǎo)體晶圓制造廠破土動(dòng)工。TI總裁兼首席執(zhí)行官哈維夫·伊蘭慶祝新晶圓廠LFAB2 建設(shè)邁出了第一步，該工廠將連接到該公司現(xiàn)有的12吋晶圓廠萊希。一旦完成，TI的兩個(gè)猶他州晶圓廠每天將滿負(fù)荷生產(chǎn)數(shù)千萬個(gè)模擬和嵌入式處理芯片。 ...  [詳內(nèi)文]