8月29日，為期三天的PCIM Asia 2023上海國(guó)際電力元件、可再生能源展覽會(huì)在上海新國(guó)際博覽中心盛大開(kāi)幕。
展覽范圍包括功率半導(dǎo)體、集成電路、被動(dòng)元件、電磁及磁性材料、散熱管理、傳感器、裝配和子系統(tǒng)、電氣傳動(dòng)、功率轉(zhuǎn)換器、電能質(zhì)量和儲(chǔ)能、測(cè)量和測(cè)試、軟件開(kāi)發(fā)、信息及服務(wù)等，為各領(lǐng)域的行業(yè)人士提供了交流技術(shù)以及分享產(chǎn)業(yè)最新發(fā)展趨勢(shì)的平臺(tái)。
據(jù)TrendForce集邦咨詢化合物半導(dǎo)體研究中心了解到，此次展會(huì)，三菱電機(jī)、英飛凌、羅姆、安森美、富士電機(jī)、中車、東芝、Power Integrations、賽米控-丹佛斯等業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)在會(huì)上展示了以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）為核心的最新研發(fā)成果和先進(jìn)技術(shù)，面向工業(yè)、能源、汽車和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。
三菱電機(jī)
此次展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，三菱電機(jī)重點(diǎn)展示了用于工業(yè)新能源、軌道交通、電動(dòng)汽車、家用電器等領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體解決方案。
三菱電機(jī)目前正在開(kāi)發(fā)下一代電動(dòng)汽車專用功率模塊。該系列模塊擁有1300V和750V兩個(gè)電壓等級(jí)，分別采用SiC MOSFET和RC-IGBT芯片技術(shù)。同時(shí)該系列模塊將采用三菱電機(jī)擅長(zhǎng)的壓注模工藝，在保證可靠性的同時(shí)，大大提升生產(chǎn)效率。
三菱還展示了高頻用混合SiC模塊等產(chǎn)品，有助于小型化輕量化，同時(shí)低電感封裝有助于減小浪涌電壓。
英飛凌
英飛凌本次設(shè)立了“綠色能源與工業(yè)”、“電動(dòng)交通和電動(dòng)出行”、“智能家居”三大主題展區(qū)，展示相應(yīng)的功率半導(dǎo)體和寬禁帶技術(shù)方面的最新解決方案。
在電動(dòng)交通和電動(dòng)出行展區(qū)，英飛凌展示了HybridPACK? Drive產(chǎn)品系列、CoolGaN? SG HEMT開(kāi)關(guān)等。在綠色能源與工業(yè)展區(qū)，英飛凌展示了用于風(fēng)光儲(chǔ)系統(tǒng)的多種解決方案，包括用于光伏發(fā)電的2000V 60A EasyPACK? CoolSiC? MOSFET 3B碳化硅模塊和45A三電平Boost MPPT模塊等。
羅姆
針對(duì)日益增長(zhǎng)的中國(guó)市場(chǎng)需求，羅姆本次重點(diǎn)展示了最新的SiC和GaN產(chǎn)品解決方案。
SiC方面，羅姆帶來(lái)了面向車載應(yīng)用的第3代以及第4代SiC MOSFET系列產(chǎn)品展示以及8英寸SiC襯底。羅姆在SiC功率器件和模塊的開(kāi)發(fā)領(lǐng)域處于先進(jìn)地位，其先進(jìn)的SiC MOSFET技術(shù)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻，充分地減少了開(kāi)關(guān)損耗。
GaN方面，羅姆分別展示了150V和650V的GaN HEMT，同時(shí)還推出了EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，該產(chǎn)品集GaN HEMT和柵極驅(qū)動(dòng)器于一體，使GaN器件輕輕松松即可實(shí)現(xiàn)安裝，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積。
安森美
本次展會(huì)上，安森美重點(diǎn)展示了其完全垂直整合的SiC生態(tài)系統(tǒng)，從基本的原材料到完整封裝的SiC器件的交付。
具體來(lái)看，本次安森美展示了1200V M3S EliteSiC MOSFET、全新半橋1200V EliteSiC PIM、以及用于光儲(chǔ)充市場(chǎng)的功率集成模塊、用于電動(dòng)汽車主驅(qū)逆變器的VE-Trac系列等等。
功率器件作為光儲(chǔ)充系統(tǒng)的核心器件，安森美現(xiàn)場(chǎng)展示了為上能電氣、古瑞瓦特實(shí)現(xiàn)商用與住宅光儲(chǔ)充一體化系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)，提供涵蓋低、中、高功率范圍的功率集成模塊（PIM），實(shí)現(xiàn)高能效、高可靠性的逆變器設(shè)計(jì)。
東芝
東芝本次主要面向風(fēng)力發(fā)電、牽引、電力輸配電、工業(yè)變頻器等領(lǐng)域的應(yīng)用，推出相應(yīng)的功率器件解決方案。
本次東芝展出產(chǎn)品包括雙柵極RC-IEGT、大功率器件IEGT、IEGT PPI Stack、全SiC模塊、智能功率器件、車載分立器件以及分立器件封裝產(chǎn)品線。
對(duì)于SiC產(chǎn)品，東芝本次重點(diǎn)展出1700V和3300V的SiC模塊MG400Q2YMS3和MG800FXF2YMS3，這兩款產(chǎn)品是更小、更高效的工業(yè)設(shè)備的理想選擇。
富士電機(jī)
富士電機(jī)一直是全球功率半導(dǎo)體主流供應(yīng)商之一，其本次展示了豐富的產(chǎn)品線。
第二代1200V/1700V全SiC模塊是富士電機(jī)本次的重點(diǎn)展示產(chǎn)品。封裝主端子部分采用層壓結(jié)構(gòu)，降低了內(nèi)部電感。另外模塊的封裝外形繼續(xù)保持了與傳統(tǒng)的硅模塊的封裝兼容，避免客戶在系統(tǒng)結(jié)構(gòu)上做重新設(shè)計(jì)，節(jié)省開(kāi)發(fā)資源。
中車
中車本次攜多款功率半導(dǎo)體器件及模塊、傳感器產(chǎn)品隆重亮相PCIM Asia，致力于展現(xiàn)中國(guó)“芯”的智慧力量，并為清潔能源的變換與高效利用提供領(lǐng)先的傳感測(cè)量解決方案。
中車本次展示了最新的SiC模塊及芯片，芯片采用第三代SiC MOSFET、體二極管續(xù)流，電壓等級(jí)覆蓋750V~3300V，比導(dǎo)通電阻最低可到3.2mΩ·cm2。模塊采用AlSiC基板設(shè)計(jì)，高性能導(dǎo)熱材料，進(jìn)一步提高模塊功率密度，滿足汽車、OBC、DC/DC、光伏、軌道交通等復(fù)雜應(yīng)用工況需求。
賽米控-丹佛斯
賽米控-丹佛斯是全球電力電子領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，本次展出產(chǎn)品包括功率模塊和系統(tǒng)等。
DCM1000X SiC功率模塊是本次賽米控-丹佛斯的重點(diǎn)展品之一，其耐壓從原來(lái)DCM1000的900V提高到了1200V。DCM1000X通過(guò)將先進(jìn)的封裝設(shè)計(jì)與最新的SiC MOSFET相結(jié)合，證明了自己是下一代電動(dòng)汽車牽引逆變器的卓越模塊平臺(tái)。
宏微科技
宏微科技本次攜帶全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品及解決方案參展亮相，產(chǎn)品覆蓋工業(yè)，光伏儲(chǔ)能以及新能源汽車相關(guān)方向的全域功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。
宏微科技主要從事IGBT、VDMOS、FRED等芯片及分立器件、模塊的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造和銷售，本次其帶來(lái)了最新的SiC二極管和MOSFET產(chǎn)品。
天域半導(dǎo)體
天域半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的SiC外延片供應(yīng)商，本次其重點(diǎn)展示了6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品。
天域半導(dǎo)體是我國(guó)SiC領(lǐng)域少數(shù)具備國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè)之一，以先進(jìn)的SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)為客戶提供優(yōu)良產(chǎn)品和服務(wù)，并持續(xù)加碼大尺寸SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)研發(fā)，積極布局8英寸SiC產(chǎn)線。
瞻芯電子
瞻芯電子是專注于SiC技術(shù)的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，本次分享了最新的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。
具體產(chǎn)品包括最新的第二代650V/1200V和1700V SiC MOSFET、隔離型驅(qū)動(dòng)IVCO1A0x、圖騰柱PFC控制芯片IVCC1104等。同時(shí)，瞻芯面向不同應(yīng)用場(chǎng)景開(kāi)發(fā)了多種應(yīng)用方案，比如20kW 三相PFC、11kW SiC三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)、2500W 圖騰柱PFC電源、200W 1000V反激電源，以及雙脈沖測(cè)試等輔助測(cè)試設(shè)備，為客戶朋友提供高效的參考設(shè)計(jì)。
賽晶科技
賽晶科技在本次PCIM Asia展上正式發(fā)布了為電動(dòng)汽車應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導(dǎo)通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高達(dá)250kW電驅(qū)系統(tǒng)，并滿足電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對(duì)高功率、小型化和高可靠性功率的需求。
賽晶科技還展示了第二款SiC模塊 – EVD封裝SiC模塊。該款產(chǎn)品采用乘用車領(lǐng)域普遍采用的全橋封裝。通過(guò)內(nèi)部?jī)?yōu)化設(shè)計(jì)，具有出色的性能表現(xiàn)。與業(yè)界頭部企業(yè)相同規(guī)格封裝模塊對(duì)比，賽晶EVD封裝SiC模塊的導(dǎo)通電阻低10%至30%，連接阻抗低33%，開(kāi)關(guān)損耗相近或者更低。
IVWorks
IVWorks是一家從事寬禁帶半導(dǎo)體外延片產(chǎn)品及相關(guān)服務(wù)的公司，公司致力于成為一家擁有智能化生產(chǎn)和材料技術(shù)的獨(dú)創(chuàng)型企業(yè)。
本次IVWorks主要展示了6、8英寸的硅基GaN外延片等產(chǎn)品。IVWorks曾在去年收購(gòu)了法國(guó)材料制造商圣戈班（Saint Gobain）的GaN襯底業(yè)務(wù)，借此在大功率應(yīng)用領(lǐng)域提供GaN-on-GaN外延片來(lái)擴(kuò)大產(chǎn)品組合。
派恩杰
派恩杰半導(dǎo)體本次攜全品類SiC器件、模塊及應(yīng)用技術(shù)亮相了PCIM Asia。
派恩杰半導(dǎo)體在650V、1200V、1700V三個(gè)電壓平臺(tái)已發(fā)布100余款不同型號(hào)的SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊和GaN HEMT產(chǎn)品，量產(chǎn)產(chǎn)品已在電動(dòng)汽車、IT設(shè)備電源、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域廣泛使用。
鎵未來(lái)
本次展會(huì)上，鎵未來(lái)攜最新的高壓D-mode GaN功率器件以及系列應(yīng)用方案隆重亮相。
目前鎵未來(lái)可向客戶提供PQFN、DFN、TOLL、TOLT、TO-252等貼片封裝以及TO-220、TO-247-3L、TO-247-4L等插件封裝全系列產(chǎn)品。同時(shí)，鎵未來(lái)可提供涵蓋小中大功率段的全線GaN應(yīng)用方案，產(chǎn)品覆蓋PD快充適配器、電動(dòng)工具充電器、儲(chǔ)能雙向逆變器等諸多場(chǎng)景。
士蘭微
士蘭微本次攜高能效IGBT器件、高壓大功率模塊、高功率SiC器件等系列產(chǎn)品亮相展會(huì)。
士蘭微針對(duì)光伏、汽車等應(yīng)用的SiC產(chǎn)品系列具有更高的參數(shù)一致性，更低的失效不良率，從而滿足高端客戶需求。據(jù)了解，其SiC MOSFET汽車主驅(qū)模塊已通過(guò)部分客戶測(cè)試，有望在今年實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付。
瑞能半導(dǎo)體
瑞能半導(dǎo)體在本次展會(huì)上展示了全新的功率半導(dǎo)體實(shí)踐應(yīng)用。
瑞能半導(dǎo)體SiC二極管產(chǎn)品已完成六代產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，擁有1.26V超低Vf。第二代SiC MOSFET產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低比導(dǎo)電阻: Ron,sp=2.6mΩ·cm2，目前瑞能半導(dǎo)正在進(jìn)行第三代trench gate產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。另外，由瑞能半導(dǎo)體全資控股的模塊生產(chǎn)工廠瑞能微恩模塊工廠已在近期正式投入運(yùn)營(yíng)。
Soitec
Soitec是設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)先企業(yè)，以其獨(dú)特的技術(shù)和半導(dǎo)體領(lǐng)域的專長(zhǎng)服務(wù)于電子市場(chǎng)。
憑借深耕SmartCut? 工藝三十年的專業(yè)積淀，Soitec推出了全新的顛覆性優(yōu)化襯底 SmartSiC?，為晶圓電氣性能、供應(yīng)鏈生產(chǎn)力以及器件功率密度帶來(lái)了全新解決方案。與傳統(tǒng)SiC襯底相比，Soitec專利的SmartSiC?襯底可降低 75% 溫室氣體排放。
安世半導(dǎo)體
本次展會(huì)上，安世半導(dǎo)體展示了最新的功率半導(dǎo)體器件及晶圓產(chǎn)品。
安世半導(dǎo)體在今年推出了650V SiC肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用，并計(jì)劃不斷增加SiC 二極管產(chǎn)品組合，包括工作電壓為650V和1200 V、電流范圍為6~20 A 的和車規(guī)級(jí)器件。同時(shí)，安世半導(dǎo)體已經(jīng)推出了三代650V GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管，將晶體管封裝技術(shù)引入到氮化鎵技術(shù)中，并在不斷的根據(jù)市場(chǎng)需求，降低成本，提高性能。
揚(yáng)杰科技
揚(yáng)杰科技本次攜帶硅晶圓、IGBT、SiC、可控硅等產(chǎn)品首次亮相PCIM Asia展。
揚(yáng)杰科技此次重點(diǎn)展出了IGBT系列產(chǎn)品，包括650V 50A/75A/100A IGBT單管，160A/200A/400A/450A/650V IGBT三電平模塊，相關(guān)系列產(chǎn)品與市場(chǎng)主流產(chǎn)品完全pin to pin兼容替代應(yīng)用，并第一次展出新能源汽車主驅(qū)的HP1/HPD模塊。
同時(shí)，揚(yáng)杰科技還展示了全系列SiC產(chǎn)品，重點(diǎn)展示SiC MOSFET，電壓等級(jí)覆蓋650V/1200V/1700V，導(dǎo)通電阻覆蓋20~1000mΩ，可應(yīng)用于新能源汽車統(tǒng)OBC和DC/DC，光伏儲(chǔ)能逆變器，充電樁和工業(yè)電源等應(yīng)用。
納芯微
納芯微在本次展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)全面展示了其在傳感器、信號(hào)鏈、電源管理三大方向的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案。
納芯微具體展出產(chǎn)品包括電流傳感器、數(shù)字隔離器、接口、隔離采樣、隔離電源、柵極驅(qū)動(dòng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)，以及其SiC系列產(chǎn)品等。納芯微在今年推出了專為光伏、儲(chǔ)能、充電等工業(yè)場(chǎng)景而設(shè)計(jì)的1200V系列SiC二極管產(chǎn)品，同時(shí)也在積極開(kāi)發(fā)和驗(yàn)證車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET產(chǎn)品。
?？瓢雽?dǎo)體
本次展會(huì)上，?？瓢雽?dǎo)體展示了自有高品質(zhì)6英寸SiC外延片。該公司憑借業(yè)內(nèi)先進(jìn)的高品質(zhì)量產(chǎn)工藝和最先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備，為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6英寸導(dǎo)電型SiC外延片，目前已對(duì)十余個(gè)業(yè)內(nèi)標(biāo)桿客戶完成送樣并實(shí)現(xiàn)了采購(gòu)訂單。
百識(shí)電子
百識(shí)電子在本次展會(huì)上重點(diǎn)展示了6英寸SiC外延片以及6/8英寸硅基GaN外延片。
百識(shí)電子是在南京設(shè)立研發(fā)總部和制造工廠的專業(yè)團(tuán)隊(duì)，其可提供4/6英寸的SiC外延片服務(wù)，以及6/8英寸的硅基氮化鎵和4/6英寸的碳化硅基氮化鎵外延片服務(wù)。除了標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格外延片，百識(shí)電子亦可針對(duì)特殊應(yīng)用市場(chǎng)需求，提供客制化規(guī)格外延服務(wù)及器件開(kāi)發(fā)所需的關(guān)鍵制程。
Power Integrations
PI本次攜帶數(shù)款門極驅(qū)動(dòng)、汽車電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品參展，展示了他們?cè)诠β拾雽?dǎo)體的全面方案以及強(qiáng)硬的實(shí)力。
PI能夠提供一個(gè)高集成度的方案，將功率器件和保護(hù)機(jī)制都集成在一個(gè)輕薄的封裝里面，實(shí)現(xiàn)高集成度無(wú)散熱片的工業(yè)的或者是家電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案。同時(shí)，PI提供了相對(duì)應(yīng)的軟件包，方便快速實(shí)現(xiàn)無(wú)傳感器的電機(jī)控制設(shè)計(jì)，便于軟件工程師能夠快速高效地實(shí)現(xiàn)軟件開(kāi)發(fā)，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)測(cè)試帶來(lái)極大的便利，極快地完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)高集成度高效的電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案。
AOS
本次展會(huì)上，AOS展出了應(yīng)用于新能源汽車、電力電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)方案以及家電等的相關(guān)產(chǎn)品及技術(shù)。
其中包括最新高壓超結(jié)MOSFETs、熱插拔MOSFETs、αSiC MOSFETs、IMVP多相控制芯片以及符合PD3.1規(guī)范的Type C負(fù)載開(kāi)關(guān)。
AOM033V120X2Q采用優(yōu)化的TO-247-4L封裝，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新型1200V SiC MOS管（αSiC MOSFET）。這款1200V SiC MOS管為可接受15V標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器的TO-247-4L車規(guī)封裝，并提供行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的最低導(dǎo)通電阻，滿足電動(dòng)汽車（EV）車載充電機(jī)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器和車載充電樁的高效率和可靠性要求。
翠展微電子
翠展微電子本次主要展出了IGBT、SiC功率模塊產(chǎn)品。
翠展微電子是一家以車規(guī)級(jí)功率模塊為核心，同時(shí)覆蓋光伏、儲(chǔ)能、電網(wǎng)、工控領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)生產(chǎn)廠家，主要產(chǎn)品有IGBT單管/模塊、SiC單管/模塊，以及汽車軟件一站式工具鏈解決方案等。
在車規(guī)功率模塊領(lǐng)域，翠展微電子產(chǎn)品基本涵蓋了國(guó)內(nèi)車規(guī)功率模塊封裝需求和電流規(guī)格，主要封裝包括HP1、DC6、DC6I、HPD、Econodual系列、TPAK及TO-247PLUS系列等，可滿足250KW以內(nèi)新能源汽車主驅(qū)的應(yīng)用需求。
CGD
CGD是一家專注于GaN技術(shù)的無(wú)晶圓廠設(shè)計(jì)公司，本次展示了其獨(dú)有的高能效GaN解決方案。
CGD 本次在中國(guó)首推其第二個(gè)易用可靠的 ICeGaN? GaN HEMT 產(chǎn)品系列。CGD H1和H2系列是單芯片增強(qiáng)模式HEMT，具有3V閾值電壓、真正的0V關(guān)斷，以及可在高達(dá)20V電壓下工作的革命性柵極方案。無(wú)級(jí)聯(lián)、無(wú)復(fù)雜多芯片配置、無(wú)復(fù)雜熱集成解決方案：嵌入式專有邏輯單芯片，可與標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器或控制器配對(duì)。此外，CGD展出了最新的評(píng)估板，包含65W QRF評(píng)估板、1.6kW LLC評(píng)估板、3kW 光伏逆變器和USB PD參考設(shè)計(jì)。
新微半導(dǎo)體
新微半導(dǎo)體本次攜豐富的硅基GaN功率產(chǎn)品平臺(tái)精彩亮相PCIM Asia。
新微半導(dǎo)體展示了40V/100V/150V/650V等低、中、高壓GaN功率器件工藝平臺(tái)系列展品，并重點(diǎn)展示了面向不同終端應(yīng)用領(lǐng)域的外延制造和晶圓代工產(chǎn)品以及先進(jìn)的技術(shù)解決方案。
合盛新材
合盛新材本次攜帶最新的6英寸SiC襯底產(chǎn)品亮相本次展會(huì)。
合盛新材是由上市公司合盛硅業(yè)股份發(fā)起成立并控股，業(yè)務(wù)涵蓋SiC襯底及外延的研發(fā)，生產(chǎn)與銷售。目前合盛新材料正在建設(shè)導(dǎo)電型6英寸SiC襯底與外延片產(chǎn)線，已實(shí)現(xiàn)投資規(guī)模超過(guò)10億元。
芯長(zhǎng)征
芯長(zhǎng)征本次分別展示了IGBT、MOSFET、SiC等產(chǎn)品。
在汽車領(lǐng)域，芯長(zhǎng)征重點(diǎn)展示其針對(duì)商用車主驅(qū)開(kāi)發(fā)的1200V 450A/600A EconoDUAL3 IGBT模塊、針對(duì)乘用車主驅(qū)開(kāi)發(fā)的750V 820A HPD IGBT模塊及750V 400A/600A HybridPACK 1 模塊及1200V 40/80mΩ的SiC MOS產(chǎn)品。
忱芯科技
忱芯科技本次展示了動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)與動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)DEMO。
忱芯科技提供SiC/GaN、IGBT功率半導(dǎo)體器件實(shí)驗(yàn)室版與產(chǎn)線版全系列ATE測(cè)試系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件前道、后道到應(yīng)用級(jí)測(cè)試全覆蓋。目前，忱芯科技SiC ATE設(shè)備已實(shí)現(xiàn)批量出貨，成功交付功率半導(dǎo)體IDM企業(yè)、芯片設(shè)計(jì)公司、功率器件封裝公司與新能源車廠及Tier1企業(yè)。
安建半導(dǎo)體
本次展會(huì)上，安建半導(dǎo)體展示了IGBT、SiC、SGT-MOS、SJ-MOS四類全新產(chǎn)品。
SiC方面，安建半導(dǎo)體本次展示了650V/1200V的SiC二極管和MOSFET。安建半導(dǎo)體總部位于浙江寧波，并在寧波自建了模塊封裝工廠——吉賽半導(dǎo)體。
功成半導(dǎo)體
功成半導(dǎo)體本次攜高效的功率器件組合產(chǎn)品及應(yīng)用方案亮相PCIM Asia。
本次功成半導(dǎo)體展出產(chǎn)品主要包括六大類：Elite MOSFET(SGT)、Elite MOSFET(SJ)、高壓高頻IGBT、SiC SBD & MOSFET、GaN HEMT以及IPM智能功率模塊。
特勵(lì)達(dá)力科
特勵(lì)達(dá)力科是高端示波器、協(xié)議分析儀和其他測(cè)試儀器的領(lǐng)先制造商，可快速全面地驗(yàn)證電子系統(tǒng)的性能和合規(guī)性，并進(jìn)行復(fù)雜的調(diào)試分析。
特勵(lì)達(dá)力科的寬禁帶半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)包含DL-ISO高壓光隔離探頭、功率器件分析軟件和12bit高精度示波器。DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，與力科 12 位高精度示波器 (HDO) 相結(jié)合，可獲得 1.5% 的系統(tǒng)精度，幾乎是市場(chǎng)上替代解決方案的兩倍。同時(shí)可提供豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測(cè)試的理想探頭。
悉智科技
悉智科技本次攜多款應(yīng)用于電動(dòng)汽車、工業(yè)場(chǎng)景的功率模塊產(chǎn)品亮相PCIM Asia。
悉智科技當(dāng)前產(chǎn)品聚焦在智能電車和清潔能源的功率與電源塑封模塊創(chuàng)新領(lǐng)域，擁有國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的車規(guī)級(jí)塑封產(chǎn)線和性能測(cè)試（包括系統(tǒng)級(jí)）&可靠性測(cè)試&失效分析實(shí)驗(yàn)室。
華太電子
本次展會(huì)上，華太電子展示了SiC、IGBT等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，。
華太電子主要從事射頻/功率產(chǎn)品、高端散熱材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，并提供大功率封測(cè)業(yè)務(wù)，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于通信基站、光伏發(fā)電與儲(chǔ)能、半導(dǎo)體裝備、智能終端、新能源汽車、工業(yè)控制等大功率場(chǎng)景。
此外，其他參展廠商還包括韓國(guó)功率半導(dǎo)體展團(tuán)，以及芯源新材料、先進(jìn)連接技術(shù)、MacDermid Alpha、DOWA、銦泰、賀利氏、京瓷等封裝材料廠商。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Matt）
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