7月8日，為期三天的2024慕尼黑上海電子展于上海新國際博覽中心盛大開幕。本屆展會吸引了全球半導體行業(yè)TOP20的半壁江山以及國內外1600余家廠商同臺競技，展現電子行業(yè)前沿技術成果與應用方案。
據集邦化合物半導體觀察，本屆慕尼黑上海電子展匯聚了英飛凌、德州儀器、湖南三安半導體、泰科天潤、華潤微、英諾賽科、鎵未來、平偉實業(yè)、飛锃半導體、天域半導體、捷捷微電、聚能創(chuàng)芯、清純半導體、極海半導體、矽力杰半導體、杰平方半導體、芯達茂微電子、方正微電子、氮矽科技、納芯微、瞻芯電子、揚杰科技、東科半導體、國基南方、能華半導體、愛仕特、威兆半導體、中微半導體、晶彩科技、蓉矽半導體、宇騰電子、昕感科技、瀚薪科技、瑞能半導體、極海半導體、翠展微電子、Vishay威世科技、Qorvo等眾多第三代半導體領域知名廠商，展示了第三代半導體SiC、GaN在電子行業(yè)豐富多樣的應用案例，彰顯了第三代半導體對于電子行業(yè)發(fā)展的巨大推動作用，各大廠商亮點展品匯總如下：
三安半導體
本屆展會，三安半導體帶來了8英寸SiC襯底/外延、SiC二極管、SiC MOSFET等各類產品。
三安半導體擁有完備的SiC二極管產品系列，包含650V/1A-50A，1200V/1A-60A以及1700V等不同電壓電流平臺，累計出貨量2億顆，目前已迭代至第5代產品。三安半導體SiC MOSFET系列產品覆蓋650V-1700V、8mΩ-1Ω范圍，應用領域包括光伏儲能、車載充電機、充電樁、電驅動系統(tǒng)等。
此外，基于三安1700V 1Ω高性能SiC MOSFET產品，三安半導體自主設計了高壓反激電源參考板demo，分為直插焊接式和IMS插拔式兩個版本，具有高效率、小體積、高功率密度等特點。
英飛凌
在本屆展會，英飛凌帶來了覆蓋工業(yè)、光伏儲能、智能家居、新能源汽車等領域的圍繞第三代半導體的最新產品及解決方案。
在電動汽車展區(qū)，英飛凌進行了一系列技術演示，其中包括使用英飛凌第二代HybridPACK? Drive碳化硅功率模塊的電機控制器系統(tǒng)演示，該系統(tǒng)集成了Aurix TC3XX、第二代1200V SiC HybridPACK? Drive模塊、第三代EiceDrive驅動芯片1EDI30XX、無磁芯電流傳感器等。
在功率電源領域，英飛凌六月最新推出的中壓CoolGaN?器件也亮相本屆展會，英飛凌還展出了基于中壓氮化鎵的2KW馬達驅動解決方案。
德州儀器
本屆展會，在能源基礎設施方面，德州儀器（TI）展示了用于打造更安全、更智能、更可靠的太陽能系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)的基于氮化鎵的1.6kW雙向微型逆變器參考設計（TIDA-010933），以及采用TI氮化鎵LMG2100R044、搭載TI第三代C2000? TMS320F280039C的正浩創(chuàng)新（EcoFlow）800W車載超充。
在機器人領域，TI展示了適用于機器人和伺服驅動器的三相GaN逆變器，以及專為BLDC電機系統(tǒng)設計的先進650V三相GaN IPM。
泰科天潤
本屆展會，泰科天潤帶來了6英寸SiC MOSFET、Si IGBT+SiC Diode混合單管、SiC 2in1半橋模塊等各類產品。
其1200V/80mΩ SiC MOSFET閾值電壓高達3.6V，能夠顯著降低橋臂短路風險。雪崩能量超過1000mJ，擊穿電壓超過1500V以上，保障了器件在應用過程中安全可靠的運行。此外，其導通電阻隨溫度增大的比例與業(yè)內同行相比更確保在高溫運行時依舊具有較低的導通損耗。
目前，泰科天潤1200V40/80mΩ SiC MOSFET已經應用在大功率充電模塊上，累計經受了88萬小時的電動汽車充電實戰(zhàn)應用，包括夏季戶外高溫場景，累計為新能源汽車進行了800多萬度電的超快充電。
泰科天潤還展示了超巧致精系列SUPERSMART易用·快捷·高效SiC 2in1半橋模塊，致力于打造低成本SiC模塊解決方案。該模塊具備高電壓耐受力、快速開關速度、NTC溫度監(jiān)控、簡化研發(fā)設計、提高功率密度、內部絕緣設計等特點。
英諾賽科
本屆展會，英諾賽科在產品方面重點展示了VGaN雙向導通系列產品、SolidGaN合封系列產品等。
應用方案也比以往更加豐富，英諾賽科此次在展臺展示了用于光伏與儲能場景的2kW微逆方案、3kW雙向儲能方案，用于數據中心的2kW PSU電源模塊方案、1kW DCDC模塊電源，用于汽車電子的2kW 400V DC/DC方案，用于消費與家電的240W LED驅動方案，500W電機驅動方案以及4kW PFC（空調）方案。
揚杰科技
本屆展會，揚杰科技帶來了最新系列產品和全面應用解決方案。
其中包括SiC、IGBT、MOSFET等各類新品在變頻器、充電樁充電模塊、光伏逆變器、儲能逆變器等場景中的應用解決方案。
東科半導體
本屆展會，東科半導體重點展示了全新All-in-One全合封氮化鎵AC-DC電源管理芯片（不對稱半橋系列/有源箝位反激系列）。芯片采用三合一設計，單芯片集成AHB/ACF控制+半橋驅動+半橋GAN器件，實現了優(yōu)異的總線控制功能，提供卓越的性能和效率。
在氮化鎵AC-DC電源管理芯片領域，東科半導體還帶來了全合封QR-LOCK AC-DC電源管理芯片DK0XX/DK80XXAP系列。產品輸出功率覆蓋12-75W。支持250KHz開關頻率，待機功耗低于50mW，內置高低壓輸入功率補償電路。
國基南方
本屆展會，國基南方帶來了SiC功率器件與模塊、FRED器件、OLED微顯示器件與模組、AR眼鏡、紫外探測成像組件、GaN/GaAs射頻芯片和模塊、聲表濾波器、射頻開關、封裝管殼與掩膜版等多種產品，廣泛應用于通信基站、移動終端、新能源汽車、風光發(fā)電與儲能、智能穿戴、衛(wèi)星互聯網、低空飛行器、高壓電網等戰(zhàn)略性新興產業(yè)領域。
晶彩科技
本屆展會，晶彩科技帶來了第三代半導體SiC單晶專用的多晶粉體、高純碳粉、高純石墨件、高純石墨氈等多款產品。
晶彩科技半導體級3C晶型大顆粒SiC多晶粉主要針對SiC單晶不同生長工藝特殊的需求，粒徑可達百微米，屬于國內首創(chuàng)技術，產品純度達到6N。
其中，半絕緣型半導體級SiC多晶粉主要針對半絕緣型SiC單晶的生長需求，粒徑可實現百微米到毫米級精準控制，產品純度可達到6N和6.8N兩個級別，氮含量低于0.5ppm；導電型半導體級SiC多晶粉主要針對導電型SiC單晶的生長需求，粒徑和產品純度與半絕緣型半導體級SiC多晶粉相當，氮含量可根據需求選擇不同含量區(qū)間(<20ppm；20ppm-40ppm；40ppm-60ppm；>60ppm)類型。
蓉矽半導體
本屆展會，蓉矽半導體重點展示了SiC MOSFET/二極管EJBS?，以及光伏逆變器、新型儲能方案、直流充電樁和新能源汽車等領域應用解決方案。
在光伏逆變器主拓撲應用中，蓉矽半導體工規(guī)級NovuSiC?光伏逆變器解決方案包含SiC EJBS?二極管與1200V 75/40mΩ SiC MOSFET。相較于硅基二極管+硅基IGBT的傳統(tǒng)方案，基于SiC器件的解決方案可將逆變器體積縮小60%左右，大幅提高功率密度。在相同的開關頻率下（20kHz@10kW），蓉矽半導體NovuSiC? MOSFET可降低50%的損耗；在相同損耗下（98W@10kW），蓉矽半導體EJBS?+SiC MOSFET方案可將開關頻率提升2倍左右，即可從20kHz提高至40kHz。
宇騰電子
本屆展會，宇騰電子帶來了6英寸硅基GaN功率器件晶圓、4英寸藍寶石基GaN外延片、4英寸SiC基GaN外延片、6英寸硅基GaN外延片等系列產品。
宇騰電子致力于光電與半導體產業(yè)相關設備升級與改造；第三代半導體GaN外延片、5G光通訊厚氧化層外延硅片設計生產；MOCVD反應室專用石英與石墨制品設計生產等，為客戶提供定制化產品與服務。
鎵未來
本屆展會，鎵未來帶來了兩款車規(guī)級GaN新品，封裝形式分別為ITO-247PLUS-3L和TSPAK-DBC。
其中，ITO-247PLUS-3L為插件式封裝，管腳大小、位置、功能兼容傳統(tǒng)TO-247（PLUS）-3L封裝，散熱基板可以通過使用導熱硅脂壓緊或直接使用焊料焊接在散熱器上，實現更低的系統(tǒng)熱阻(RTH，J-HS)，散熱基板可以滿足至少2.5KV電氣隔離，還可根據客戶需求，提供ITO-247-3L封裝版本（帶緊固鎖孔)。
TSPAK-DBC則為頂部散熱表貼式封裝，散熱基板可以滿足最高4.5KV電氣隔離要求，可以實現高效率自動化組裝，并具有極高的板級可靠性TCOB。
昕感科技
本屆展會，昕感科技展示的SiC器件產品涵蓋650V/1200V/1700V等不同電壓等級，導通電阻覆蓋從7mΩ-1000mΩ各種等級，功率模塊擁有汽車級與工業(yè)級SiC模塊。
目前，昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺上完成數十款SiC器件和模塊產品量產，部分產品已通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。其中，1200V SiC MOSFET產品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等導通電阻規(guī)格，模塊產品對標EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式，產品廣泛應用于光伏儲能、新能源汽車、工業(yè)控制等領域。
納芯微電子
本屆展會，納芯微電子圍繞汽車電子、工業(yè)控制、可再生能源與電源等應用領域，展示了其傳感器、信號鏈、電源管理三大方向的創(chuàng)新產品和解決方案。
在可再生能源領域，提高母線電壓，降低電流是降本增效直接有效的辦法，因此，支持更高電壓的SiC功率器件正越來越多地應用于光儲系統(tǒng)中。本次展會上，納芯微展示了用于驅動SiC功率器件的隔離驅動產品，包括帶米勒鉗位功能、可避免功率器件誤導通的NSI6801M，以及在過流的情況下，通過DESAT功能來保障功率器件不損壞的NSI68515。
瀚薪科技
本屆展會，瀚薪科技展示了最新的國產化第三代1200V SiC MOSFET產品系列，支持15/18V驅動，這一系列產品涵蓋16mΩ、25mΩ、40mΩ、75mΩ及120mΩ多種RDS(on)規(guī)格，在18V驅動下指標表現更優(yōu)，并支持瀚薪科技自主知識產權的頂部散熱封裝。
瀚薪科技同時展出了第二代1700V 500mΩ、750mΩ、1Ω規(guī)格的SiC MOSFET以及3300V 60Ω的第三代SiC MOSFET。在SiC模塊方面，瀚薪科技展示了750V及1200V的三相全橋模塊。
方正微電子
本屆展會，方正微電子展示了應用于新能源汽車、光儲充、數據中心、消費電子等領域的SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT等系列產品。
其中，應用于新能源汽車、光儲充、數據中心等場景的1200V SiC SBD、SiC MOSFET產品覆蓋16mΩ-60mΩ、15A-40A；應用于消費電子場景的GaN HEMT系列產品覆蓋150mΩ-500mΩ，助力打造體積更小、轉換更快、能耗更低的消費電子產品。
氮矽科技
本屆展會，氮矽科技帶來了涵蓋從低壓到高壓應用的全系列GaN產品及方案。
其中包括E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP?（Power integrated in package）和PWM GaN四大產品線，廣泛應用于消費電子、數據中心、鋰電池以及新能源汽車等領域。
能華半導體
本屆展會，能華半導體展出了一系列以D-Mode氮化鎵技術為基礎的功率氮化鎵器件以及6英寸和8英寸的D-Mode和E-Mode氮化鎵晶圓產品。據稱，能華半導體是國內唯一同時量產了D-Mode和E-Mode氮化鎵的IDM公司。
能華半導體推出的氮化鎵產品最高耐壓達到了1200V，內阻低至80毫歐，產品封裝形式多樣，涵蓋了從貼片類的DFN、TO252，到插件類的TO系列，再到面向工業(yè)級和車規(guī)級市場的TO247、TOLL封裝。
公開資料顯示，能華半導體于2010年成立，是全球為數不多同時掌握增強型GaN技術、耗盡型GaN技術以及耗盡型GaN直驅方案的半導體公司，其采用IDM全產業(yè)鏈模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si）、藍寶石基GaN（GaN-on-Sapphire）、碳化硅基GaN（GaN-on-SiC）晶圓與器件的研發(fā)、設計、制造與銷售，其6英寸/8英寸GaN晶圓和功率器件涵蓋650V-1200V，目前產能為6000片/月。
愛仕特
本屆展會，愛仕特帶來了650-3300V的SiC MOSFET（包括最新3300V大電流產品）、650-1700V的SiC功率模塊以及在新能源汽車、光儲充等領域的SiC功率轉換解決方案等產品。
其中，3300V/60A大電流SiC MOSFET產品采用了愛仕特第三代SiC MOSFET技術，具備3300V高壓、60A大電流、58mQ低導通電阻等特性，低開關損耗支持更高開關頻率運行，高耐用性的封裝實現更高可靠性及更長的壽命周期，半導體芯片面積更小實現更加優(yōu)化的成本效益，應用領域包括列車牽引系統(tǒng)、不間斷電源、工業(yè)電機驅動、重型車輛、智能電網3300Vac牽引變頻器、光伏逆變器、儲能電源、高壓DC/DC變換器特種軍用車等大功率高端細分領域。
瞻芯電子
本屆展會，瞻芯電子帶來了SiC分立器件和模塊、驅動和控制芯片產品，以及多種參考設計方案。
在SiC器件方面，瞻芯電子展示了最新的第三代1200V SiC MOSFET系列產品，同時展出多種新規(guī)格，包括1700V、2000V和3300V電壓等級產品。
在SiC模塊方面，瞻芯電子展示了用于光伏MPPT的2000V 4相升壓3B模塊，以及用于EV主驅的SiC HPD和DCM模塊。
在SiC驅動IC方面，瞻芯電子展示了最新的比鄰驅動?系列芯片，包括具有隔離功能且集成負壓驅動或短路保護功能的SiC專用驅動芯片IVCO141x。
瑞能半導體
本屆展會，瑞能半導體帶來了最新的SiC頂部散熱封裝及SiC功率模塊，采用先進環(huán)保無鉛工藝的可控硅器件，新一代IGBT產品，以及專注超級充電樁的二極管車規(guī)級產品等各類產品，覆蓋了光伏、工業(yè)、汽車等應用領域。
瑞能BYC100MW-600PT2在保持反向恢復性能基本不變的情況下，降低VF，減少導通損耗，確保了40KW模塊的量產；瑞能WND60P20W在充電模塊中也提高了二極管的雪崩能力，使得在異常情況下，二極管可以耐受更多的雪崩能量，提高了器件的可靠性。
萃錦半導體
本屆展會，萃錦半導體帶來了SiC MOSFET、IGBT、SJ MOS以及超薄晶圓等各類產品。
目前，萃錦半導體產品涵蓋600V至2200V電壓范圍的SiC MOSFET、硅基超結Si SJ MOSFET等分立器件，主要應用于新能源汽車、充電樁、光伏、儲能、風電、工業(yè)驅動等場景和領域。
聚能創(chuàng)芯
本屆展會，聚能創(chuàng)芯展示了硅基GaN外延、650V GaN功率器件等系列產品。
聚能創(chuàng)芯主要從事硅基氮化鎵（GaN）的研發(fā)、生產和銷售，專注于為業(yè)界提供高性能、低成本的GaN功率器件產品和技術解決方案。聚能創(chuàng)芯旗下聚能晶源主要從事氮化鎵（GaN）外延材料的研發(fā)、設計、制造和銷售，致力于為客戶提供大尺寸、高性能GaN外延解決方案與材料產品。目前，聚能晶源產品線包括AIGaN/GaN-on-Si、P-cap AlGaN/GaN-on-Si、GaN-on-HR Si，覆蓋GaN功率與微波器件應用。
翠展微電子
本屆展會，翠展微電子發(fā)布了全新的TPAK封裝解決方案。TPAK封裝是專為克服TO-247等傳統(tǒng)封裝方案缺陷而設計的，該方案具有高功率密度、可擴展性好、可靠性高、抗震動性能強等優(yōu)點，能夠滿足新能源汽車市場對高集成度、高性價比功率半導體產品的需求。
此外，翠展微電子推出了基于IGBT和SiC的TO247 PLUS和TPAK產品，還通過采用銅Clip工藝實現了器件的高可靠性、低熱阻和低雜散電感性能。
Vishay威世科技
本屆展會，Vishay在現場展示了各類無源和分立半導體解決方案。
Vishay最新發(fā)布的1200V MaxSiC?系列SiC MOSFET器件采用工業(yè)應用標準封裝，具有45mΩ、80mΩ和250mΩ三種可選導通電阻，同時提供定制產品。此外，Vishay將提供650V至1700V SiC MOSFET路線圖，導通電阻范圍10mΩ到1Ω，包括計劃發(fā)布的AEC-Q101標準車規(guī)級產品。
Qorvo
本屆展會，Qorvo展出的1200V SiC模塊采用緊湊型E1B封裝，可以取代多達四個分立式SiC FET，從而簡化熱機械設計和裝配。并且這些模塊搭載獨特的共源共柵配置，最大限度地降低導通電阻和開關損耗，極大地提升能源轉換效率。這些SiC模塊可廣泛應用于電動汽車設計中，以提高能量轉化效率、減少散熱需求，從而增強汽車的充電效率和續(xù)航里程。
為發(fā)揮SiC器件的全部潛力，Qorvo推出了面向模擬與混合信號仿真的QSPICE仿真軟件。QSPICE具有卓越SPICE技術基礎功能的全新SPICE代碼，實現了全新一代混合模式電路仿真。通過提升仿真速度、功能和可靠性，為電源和模擬設計帶來更高的設計效率。
小結
從本屆展會三代半相關廠商重點展品來看，1200V和650V系列產品已占據SiC和GaN賽道C位，同時，各大廠商正在向1700V、3300V等更高電壓等級產品邁進，顯示了SiC和GaN在電力電子行業(yè)應用向高壓大功率發(fā)展趨勢。
以SiC和GaN為代表的第三代半導體對于綠色能源產業(yè)發(fā)展的重要推動作用也在日益顯現，能夠幫助實現更高的功效、更小的尺寸、更輕的重量、以及更低的總成本。在當前綠色低碳化轉型的大背景下，以SiC和GaN為代表的第三代半導體擁有巨大的發(fā)展?jié)摿瓦h景發(fā)展空間，將在新能源汽車、光儲充、電力電子等場景和領域持續(xù)滲透，產業(yè)鏈上下游廠商也將獲得發(fā)展機遇。（文：集邦化合物半導體Zac）
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