“先為科技”官微消息，6月16日無錫先為科技有限公司首臺 GaN MOCVD BrillMO 外延設備正式發(fā)往國內頭部的化合物半導體企業(yè)。
圖片來源：先為科技
先為科技表示，此次發(fā)貨的 GaN MOCVD BrillMO 外延設備，各項性能均達到行業(yè)領先水平。該設備運用特有的溫場和流場設計，不僅能實現(xiàn)高質量的成膜效果，為功率芯片、射頻芯片、Micro LED 芯片的GaN外延制造提供堅實保障，而且在產能上表現(xiàn)卓越，能夠大幅提升生產效率，同時有效降低了使用成本，為客戶提供優(yōu)異的GaN外延加工解決方案。
作為先為科技的創(chuàng)新之作，該設備通過潛心鉆研的正向自主研發(fā)，具備完全的自主知識產權，能夠有力地推動化合物半導體外延設備的自主化。此次 GaN MOCVD 外延設備的發(fā)貨，不僅是先為科技自身發(fā)展的重大突破，更是先導集團在半導體領域“裝備自主”戰(zhàn)略推進的又一重要成果體現(xiàn)。
資料顯示，先為科技是一家致力于化合物半導體外延設備的研發(fā)、制造與銷售的創(chuàng) 新型和科技型企業(yè)，為全球客戶提供高端化合物半導體外延設備與服務。
先為科技是先導集團在半導體產業(yè)的關鍵企業(yè)，公司依托集團在高端裝備制造領域的深厚積累，在化合物半導體外延設備領域，擁有正向研發(fā)且知識產權自主可控的GaN MOCVD外延設備、SiC Epi外延設備，應用于功率芯片、射頻芯片、Micro LED芯片及碳化硅功率芯片的生產制造，各項性能均達到行業(yè)領先水平，為客戶提供高可靠性、高性能的量產外延裝備及全生命周期解決方案。
（集邦化合物半導體整理）
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