今年以來，海內(nèi)外廠商活躍于各大電力電子相關(guān)的展會(huì)，并陸續(xù)發(fā)布了新的SiC技術(shù)、產(chǎn)品、解決方案或參考設(shè)計(jì)，技術(shù)水平和產(chǎn)品性能都進(jìn)一步得到改善和升級。
其中，三菱電機(jī)開發(fā)了一款新型的SBD嵌入式的SiC MOSFET模塊FMF800DC-66BEW，具備雙型3.3kV耐受電壓及6.0kVrms隔離電壓，該產(chǎn)品已在PCIM Europe 2023展上亮相。
.png)
來源：三菱電機(jī)
據(jù)介紹，3.3kV SBD嵌入式SiC MOSFET模塊尺寸為100mm x 140mm x 40mm，預(yù)期可在鐵路和電力系統(tǒng)等大型工業(yè)設(shè)備的逆變器系統(tǒng)中提供高功率輸出、高效率和高可靠性。
三菱電機(jī)表示，相比其現(xiàn)有的Si功率模塊，這款產(chǎn)品結(jié)合經(jīng)優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)可將開關(guān)損耗降低91%，相比現(xiàn)有的SiC功率模塊，開關(guān)損耗可降低66%，有助于減少逆變器的功耗，提升功率輸出和效率。同時(shí)，該模塊結(jié)合優(yōu)化的載流量，還能增強(qiáng)逆變器的可靠性。
另外，三菱電機(jī)優(yōu)化了端子布局，可實(shí)現(xiàn)并聯(lián)，根據(jù)并聯(lián)數(shù)量，支持多種逆變器的配置和容量。此外，該產(chǎn)品還具有DC和AC主端子相反極性的封裝結(jié)構(gòu)，有助于簡化電路設(shè)計(jì)。
5月8日，三菱電機(jī)透露，新型SiC模塊樣品將于5月31日開始出貨。（化合物半導(dǎo)體市場Jenny編譯）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。