據(jù)《重慶新聞聯(lián)播》報道，在西部（重慶）科學城，總投資約300億元的三安意法半導體項目進入收尾階段，其中，8英寸SiC襯底廠預計本月投產(chǎn)，比原計劃提前2個月。
據(jù)了解，三安意法半導體項目包含建設一座8英寸SiC晶圓（芯片）廠和配套的一座8英寸SiC襯底廠，預計總投資約300億元人民幣，將整合8英寸車規(guī)級SiC襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造。
其中，晶圓廠由三安光電與意法半導體合資32億美元成立，雙方為此在重慶設立合資公司安意法半導體有限公司（注冊資本為6.12億美元），三安光電和意法半導體分別持股51%和49%。
日前，三安光電在半年報中披露，安意法生產(chǎn)設備將在今年Q3陸續(xù)進場安裝和調試，預計11月份將實現(xiàn)通線，通線后將逐步釋放產(chǎn)能，未來將主要生產(chǎn)8英寸SiC外延和芯片，銷售給意法半導體。合資公司規(guī)劃產(chǎn)能將于2028 年達產(chǎn)，達成后產(chǎn)能為8英寸車規(guī)級SiC MOSFET功率芯片48萬片/年，面向新能源汽車主驅逆變器、充電樁和車載充電器等應用。
作為配套，三安光電在重慶同步建設一座8英寸襯底廠，并為此設立了重慶三安半導體有限責任公司（湖南三安的全資子公司），注冊資本為18億元。該工廠預計總投資額為70億人民幣，占地276畝，達產(chǎn)后預計8英寸SiC襯底48萬片/年。據(jù)半年報披露，該襯底廠預計8月底將實現(xiàn)點亮通線。未來，重慶三安將匹配生產(chǎn)碳化硅襯底供應給安意法
值得一提的是，意法半導體正在推進旗下晶圓廠從6英寸向8英寸過渡，而湖南三安項目的加快建設將一定程度上助推意法半導體加速向8英寸轉型。
根據(jù)6月消息顯示，意法半導體計劃明年第三季度意大利卡塔尼亞的SiC晶圓廠將過渡到8英寸；新加坡的晶圓廠隨后也將過渡到8英寸；而在中國的合資工廠安意法則預計明年第四季度開始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓。按照最新進度，8英寸晶圓廠預計年底通線后將逐步釋放產(chǎn)能，而8英寸襯底廠提前到本月底投產(chǎn)，表明湖南三安已提前做好準備，匹配后續(xù)安意法對襯底材料的需求。
市場需求方面，根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2024 全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢。TrendForce集邦咨詢預測，2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達到91.7億美元。
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未來，隨著兩座工廠產(chǎn)能的釋放以及下游需求的持續(xù)增長，湖南三安的SiC業(yè)務有望實現(xiàn)產(chǎn)銷兩旺，帶動三安光電整體業(yè)績進一步增長。就今年上半年來看，三安光電實現(xiàn)營業(yè)收入76.79億元，同比增長18.70%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為1.84億元，同比增長8.44%。其中，湖南三安實現(xiàn)營收5.12億元，凈利潤為299萬元。（集邦化合物半導體Jenny整理）
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