士蘭微8英寸碳化硅功率器件項目預(yù)計明年試生產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 10 月 21 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)

10月18日,據(jù)廈門日報消息,廈門這個8英寸碳化硅項目近日取得了新進展。

據(jù)報道,位于福建省廈門市海滄區(qū)的士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目近日進入土方工程收尾階段,一期項目預(yù)計將于2025年三季度末初步通線,四季度試生產(chǎn)。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉,士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目總投資120億元,分兩期建設(shè),其中,一期項目總投資70億元,達產(chǎn)后年產(chǎn)42萬片8英寸碳化硅功率器件芯片。兩期全部建成投產(chǎn)后,將形成年產(chǎn)72萬片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。

從該項目推進情況來看,作為該項目實施主體士蘭集宏的母公司,士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團有限公司、廈門新翼科技實業(yè)有限公司于2024年5月21日簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目之投資合作協(xié)議》。隨后在6月18日,士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目在廈門市海滄區(qū)正式開工。

近期,除士蘭微8英寸碳化硅項目外,國內(nèi)外廠商還有多個8英寸碳化硅項目披露了最新進展。

其中,北京市生態(tài)環(huán)境局于8月13日公示了天科合達第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項目(以下簡稱:二期項目)環(huán)評審批。二期項目用于擴大天科合達碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能,投產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底,其中8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬片。

8月底,重慶三安8英寸碳化硅襯底廠點亮通線。該項目投資額為70億元,規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅襯底48萬片。

9月27日,住友金屬及其全資子公司Sicoxs Coparation宣布,將在Sicoxs的Ohkuchi工廠建設(shè)一條新的8英寸SiCkrest大規(guī)模生產(chǎn)線,SiCkrest為直接鍵合的碳化硅襯底。

10月13日,據(jù)韓媒報道,韓國東部高科(DB HiTek)于11日宣布,其將在忠清北道Eumseong的Sangwoo園區(qū)內(nèi)投資擴建半導(dǎo)體潔凈室,計劃先行建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)線。

10月16日,在首屆SEMiBAY灣芯展開幕式上,方正微電子發(fā)布了車規(guī)/工規(guī)碳化硅MOSFET 1200V全系產(chǎn)品,還表示其8英寸碳化硅產(chǎn)線將于2024年年底通線。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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