1月8日，據(jù)晶馳機(jī)電官微消息，晶馳機(jī)電開(kāi)發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）電阻式長(zhǎng)晶爐近日通過(guò)客戶(hù)驗(yàn)證，并正式開(kāi)啟了小批量交付。
source：晶馳機(jī)電
據(jù)介紹，該設(shè)備采用獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，結(jié)合過(guò)程控制理論和自動(dòng)化控制方法，實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)晶過(guò)程中工藝參數(shù)的精準(zhǔn)控制和設(shè)備運(yùn)行的高度智能化。通過(guò)創(chuàng)新的熱場(chǎng)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)均勻的徑向溫度和寬范圍精準(zhǔn)可調(diào)的軸向溫度梯度。熱場(chǎng)穩(wěn)定性高，使用壽命長(zhǎng)，大幅提升了晶體的質(zhì)量和良品率。
據(jù)悉，目前主流碳化硅長(zhǎng)晶爐主要包括物理氣相輸運(yùn)（PVT）法和電阻加熱法兩種技術(shù)。
其中，PVT法是目前碳化硅單晶生長(zhǎng)的主流技術(shù)，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化應(yīng)用。其工作原理是將碳化硅粉末在高溫下升華為氣態(tài)組分，這些氣態(tài)組分在溫度梯度的作用下輸運(yùn)至籽晶處重新結(jié)晶，形成單晶結(jié)構(gòu)。PVT法的優(yōu)勢(shì)在于能夠制備高純度、大尺寸的晶體。
而電阻加熱法是一種新興的碳化硅長(zhǎng)晶技術(shù)，其加熱方式主要通過(guò)電阻或感應(yīng)加熱。這種方法的優(yōu)勢(shì)在于能夠更好地控制溫度梯度，減少晶體缺陷，適合生長(zhǎng)厚尺寸、高質(zhì)量的晶體。電阻加熱長(zhǎng)晶爐通常具有結(jié)構(gòu)緊湊、可兼容多種加熱方式、控溫精度高等特點(diǎn)，能夠滿(mǎn)足6-8英寸碳化硅單晶的生長(zhǎng)需求。
碳化硅長(zhǎng)晶爐是襯底生長(zhǎng)的核心工藝設(shè)備，對(duì)行業(yè)的發(fā)展起到?jīng)Q定性作用，已吸引眾多國(guó)內(nèi)碳化硅設(shè)備廠(chǎng)商涉足。
其中，連科半導(dǎo)體在5月發(fā)布的8英寸碳化硅長(zhǎng)晶爐，具有結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊、長(zhǎng)晶工藝靈活、節(jié)約環(huán)保等特點(diǎn)；6月，優(yōu)晶科技8英寸電阻法碳化硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備獲行業(yè)專(zhuān)家認(rèn)可，成功通過(guò)技術(shù)鑒定評(píng)審；晶升股份第一批8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備已于2024年7月在重慶完成交付；而在近日，松瓷機(jī)電碳化硅單晶爐成功制備出8英寸碳化硅單晶晶體。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。