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全球InP產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀淺析
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 29 日 17:26 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
作為化合物半導(dǎo)體材料，InP（磷化銦）半導(dǎo)體元件具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度較高等特性，在光通信、數(shù)據(jù)中心、新一代顯示、人工智能、無人駕駛、航天等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 目前InP材料主要用于制造光子元件和微波射頻元件，其在光子領(lǐng)域具...  [詳內(nèi)文]

三菱電機與Coherent達成合作，SiC產(chǎn)能之爭加速
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 29 日 17:24 | 分類 碳化硅SiC
5月26日，三菱電機官網(wǎng)宣布已與Coherent（前 II-VI ）達成合作，雙方將共同致力于擴大8英寸SiC器件的生產(chǎn)規(guī)模。在未來Coherent將為三菱電機在新工廠生產(chǎn)的SiC功率器件供應(yīng)8英寸n型4H SiC襯底，以滿足新能源汽車對SiC的需求。 隨著新能源汽車需求量的提升...  [詳內(nèi)文]

【會議預(yù)告】AIXTRON：寬禁帶半導(dǎo)體器件量產(chǎn)解決方案
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 26 日 17:31 | 分類 氮化鎵GaN
隨著新能源汽車、5G、快充等產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展，以碳化硅，氮化鎵為首的寬禁帶半導(dǎo)體下游領(lǐng)域需求不斷增加。加之國內(nèi)外政策的推動，寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在爆發(fā)巨大的發(fā)展?jié)摿Α?市場的不斷擴大，各大廠商開始“排兵布陣”，形成量產(chǎn)，設(shè)備產(chǎn)業(yè)迎來了熱潮， 寬禁帶半導(dǎo)體器件量產(chǎn)成為了產(chǎn)業(yè)聚焦的問題。 ...  [詳內(nèi)文]

又一SiC企業(yè)獲投資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 26 日 17:29 | 分類 碳化硅SiC
近日，南通罡豐科技有限公司（罡豐科技）完成融資，投資方為鈞石基金和達泰資本。融資金額尚未公開披露。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉，罡豐科技由中科院“百人計劃”專家奚衍罡博士創(chuàng)辦，成立于2019年，是一家專注于SiC材料、設(shè)備、襯底和外延的研發(fā)和制造的高新技術(shù)企業(yè)。致力于打通從...  [詳內(nèi)文]

斯達半導(dǎo)體簽約重慶，加速SiC產(chǎn)業(yè)布局
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 26 日 17:27 | 分類 碳化硅SiC
近期，在中國西部國際投資貿(mào)易洽談會上，斯達半導(dǎo)體重慶車規(guī)級模塊生產(chǎn)基地作為重點項目簽約，未來斯達半導(dǎo)體將在重慶科學(xué)城投資建設(shè)車規(guī)級模塊生產(chǎn)基地，實現(xiàn)主控制器用大功率車規(guī)級IGBT模塊、車規(guī)級碳化硅MOSFET模塊研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。 近兩年來，受到新能源產(chǎn)業(yè)的推動，斯達半導(dǎo)體作為國...  [詳內(nèi)文]

1.5萬片/月！三安光電公布碳化硅最新產(chǎn)能進展
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 26 日 16:32 | 分類 碳化硅SiC
在新能源汽車市場規(guī)模急劇上漲的當(dāng)下，產(chǎn)能的擴充成為碳化硅領(lǐng)域各大廠商努力的方向，國內(nèi)外企業(yè)紛紛投入到上游襯底及外延片、中游晶圓制造、下游模塊封裝等領(lǐng)域。 值得一提的是，碳化硅產(chǎn)業(yè)素有“得襯底者得天下”的說法，因此，碳化硅襯底產(chǎn)能的擴充成為這場競爭中難以忽視的一環(huán)。目前，碳化硅襯底...  [詳內(nèi)文]

【會議預(yù)告】爍科晶體：SiC單晶生長技術(shù)淺析及應(yīng)用展望
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 25 日 17:32 | 分類 碳化硅SiC
SiC屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有耐高壓、耐高溫、高頻、低損耗等優(yōu)勢，是衛(wèi)星通信、電動汽車、高壓輸變電、軌道交通等重要領(lǐng)域的核心材料。 SiC單晶的制備一直是全球性技術(shù)難題，而高穩(wěn)定性的晶體生長工藝則是其中最核心的技術(shù)。 如今，爍科晶體已建立起完整的SiC晶片生產(chǎn)線，突破晶體生長、...  [詳內(nèi)文]

國投創(chuàng)業(yè)領(lǐng)投，化訊半導(dǎo)體獲融資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 25 日 17:31 | 分類 碳化硅SiC
近日，國投創(chuàng)業(yè)宣布領(lǐng)投深圳市化訊半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱“化訊半導(dǎo)體”）。 化訊半導(dǎo)體成立于2016年，是一家專注于先進電子材料研發(fā)和銷售的企業(yè)，重點針對集成電路先進封裝、化合物半導(dǎo)體、新型顯示等領(lǐng)域，提供系統(tǒng)解決方案及關(guān)鍵材料。 國投創(chuàng)業(yè)消息顯示，化訊半導(dǎo)體自主研發(fā)的紫外激...  [詳內(nèi)文]

又拿下關(guān)鍵一環(huán)，國產(chǎn)SiC設(shè)備加速崛起
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 25 日 17:30 | 分類 碳化硅SiC
近期，德龍激光在投資者互動平臺回復(fù)投資者表示，公司已完成SiC晶錠切片技術(shù)的工藝研發(fā)和測試驗證，并取得了頭部客戶批量訂單，這條回復(fù)的背后意味著國產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈又在一關(guān)鍵領(lǐng)域取得占位。 Source：拍信網(wǎng) 01、改善SiC良率的關(guān)鍵技術(shù) 由于SiC硬度大和易脆裂等特性，晶錠切割...  [詳內(nèi)文]

多應(yīng)用驅(qū)動！SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體未來可期
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 24 日 17:14 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
關(guān)于第三代半導(dǎo)體的疑慮，這場研討會都有答案。 第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點，先天性能優(yōu)越，是新能源汽車、5G、光伏等領(lǐng)域的“香餑餑”。然而，現(xiàn)實與理想之間尚有較大差距，我們對第三代半導(dǎo)體的發(fā)展仍存疑慮。 為進一步剖析第三代半導(dǎo)體的現(xiàn)...  [詳內(nèi)文]