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納微又一收購(gòu)，將完全控股這家公司
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 29 日 17:25 | 分類 產(chǎn)業(yè)
1月19日，納微半導(dǎo)體宣布收購(gòu)Halo Microelectronics（廣東希荻微電子股份有限公司，以下簡(jiǎn)稱“希荻微”）持有的硅控制IC合資公司的少數(shù)股權(quán)，交易價(jià)格2000萬(wàn)美元，雙方已就此簽訂協(xié)議。 希荻微是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體和集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)之一，主要從事包括電源管理芯片及...  [詳內(nèi)文]

直指SiC，安森美與大眾簽訂合作協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 29 日 17:19 | 分類 碳化硅SiC
1月25日，根據(jù)安森美官網(wǎng)消息，公司已與大眾汽車簽署戰(zhàn)略協(xié)議。 根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，安森美將為大眾汽車下一代平臺(tái)系列提供半導(dǎo)體及模塊產(chǎn)品，以實(shí)現(xiàn)完整的電動(dòng)汽車牽引逆變器解決方案。這些半導(dǎo)體是整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分，安森美提供的解決方案將支持大眾車型中的前后牽引逆變器。 安森美還指出，公司...  [詳內(nèi)文]

碳化硅技術(shù)助力綠色環(huán)保替代方案進(jìn)入良性循環(huán)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 29 日 10:08 | 分類 碳化硅SiC
綠色環(huán)保意識(shí)和法規(guī)在推動(dòng)電動(dòng)汽車市場(chǎng)發(fā)展，它們助力電池技術(shù)和基于碳化硅（SiC）器件設(shè)計(jì)不斷創(chuàng)新，從而促進(jìn)綠色能源發(fā)電的轉(zhuǎn)型。 現(xiàn)在，擴(kuò)大可再生能源的需求至關(guān)重要。日益變化的氣候問(wèn)題，化石燃料供應(yīng)鏈問(wèn)題以及長(zhǎng)期有限化石燃料資源難以滿足日益增長(zhǎng)的能源需求，這些因素都使天平向區(qū)域性綠...  [詳內(nèi)文]

晶盛機(jī)電聯(lián)合創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目大樓主體全面封頂
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 29 日 10:05 | 分類 碳化硅SiC
近日，晶盛聯(lián)合創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目大樓主體全面封頂。 產(chǎn)業(yè)園位于杭州灣經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)高端智造集聚區(qū)，總建筑面積約10.9萬(wàn)平方米。 為了助力12英寸大硅片的發(fā)展，晶盛機(jī)電投資8億元，在產(chǎn)業(yè)園建設(shè)12英寸集成電路大硅片設(shè)備測(cè)試實(shí)驗(yàn)線，配置試驗(yàn)檢測(cè)設(shè)備，建設(shè)滿足高標(biāo)準(zhǔn)要求的試驗(yàn)環(huán)境場(chǎng)地，完善公...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體企業(yè)派恩杰、晟光硅研獲融資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 29 日 10:04 | 分類 碳化硅SiC
近日，又兩家第三代半導(dǎo)體企業(yè)獲融資。碳化硅功率器件企業(yè)派恩杰完成數(shù)億元A輪融資；晟光硅研完成數(shù)千萬(wàn)元Pre-A輪融資。 Source：拍信網(wǎng) 1、派恩杰完成數(shù)億元融資 近日，碳化硅功率器件派恩杰半導(dǎo)體在1月19日正式完成數(shù)億元A輪融資，不僅如此，在壬寅年，僅車規(guī)級(jí)功率MOS芯片...  [詳內(nèi)文]

越來(lái)越熱的毫米波雷達(dá)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 28 日 10:52 | 分類 碳化硅SiC
毫米波雷達(dá)是一種使用天線發(fā)射波長(zhǎng)1-10mm、頻率24-300GHz 的毫米波（Millimeter Wave，MMW）作為放射波的雷達(dá)傳感器。毫米波雷達(dá)根據(jù)接收和發(fā)射毫米波的時(shí)間差，結(jié)合毫米波傳播速度、載體速度及監(jiān)測(cè)目標(biāo)速度，可以獲得汽車與其他物體相對(duì)距離、相對(duì)速度、角度及運(yùn)動(dòng)...  [詳內(nèi)文]

國(guó)產(chǎn)射頻，格局初定
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 28 日 10:45 | 分類 碳化硅SiC
2023年是國(guó)產(chǎn)射頻前端芯片格局初定的一年，各個(gè)細(xì)分賽道都將迎來(lái)上市公司。 老虎金錢豹，各走各的道。國(guó)產(chǎn)射頻前端的各個(gè)細(xì)分賽道，都會(huì)有自己的標(biāo)桿企業(yè)，自己的龍頭企業(yè)，自己的企業(yè)陣營(yíng)。這種格局，將維持至少十年之久，原因在于術(shù)業(yè)有專攻，在于寧為雞頭不為鳳尾，在于中國(guó)射頻公司的負(fù)責(zé)人需...  [詳內(nèi)文]

多重應(yīng)用齊發(fā)，氮化鎵功率半導(dǎo)體迎向成長(zhǎng)轉(zhuǎn)折點(diǎn)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 28 日 10:43 | 分類 氮化鎵GaN
氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems從地緣政治下全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈動(dòng)態(tài)、能源轉(zhuǎn)換效率革新等面向，展望2023年全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)。電汽化 (Electrification) 、數(shù)字化 (Digitalization)及凈零永續(xù) (Sustainability) 三大...  [詳內(nèi)文]

2022年度中國(guó)半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 20 日 11:14 | 分類 氮化鎵GaN
1.拓?fù)淝幻姘l(fā)射激光器 中科院物理研究所陸凌團(tuán)隊(duì)將原創(chuàng)的拓?fù)涔馇粦?yīng)用于半導(dǎo)體激光芯片，研制出拓?fù)淝幻姘l(fā)射激光器[topological-cavity surface-emitting laser (TCSEL)]，得到了遠(yuǎn)超主流商用產(chǎn)品的單模功率和光束質(zhì)量。TCSEL的發(fā)明有望...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵：10年后將直接與碳化硅競(jìng)爭(zhēng)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 19 日 14:09 | 分類 氮化鎵GaN
以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借耐高溫、抗高壓、開(kāi)關(guān)速度快、效率高、節(jié)能、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，近年來(lái)被國(guó)內(nèi)外相關(guān)企業(yè)持續(xù)關(guān)注和布局，相信這股熱潮將會(huì)一路延續(xù)到2023年。 然而，在寬禁帶半導(dǎo)體材料發(fā)展勢(shì)如破竹的同時(shí)，學(xué)術(shù)界和科研界不約而同地展望下一代半...  [詳內(nèi)文]