江蘇通用半導體有限公司（原：河南通用智能裝備有限公司，下文簡稱“通用半導體”）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研設備（碳化硅晶錠激光剝離設備）成功實現(xiàn)剝離出130um厚度超薄SiC晶
8英寸SiC晶錠激光全自動剝離設備（source：通用半導體）
資料顯示，通用半導體成立于2019年，致力于高端半導體產(chǎn)業(yè)裝備與材料的研發(fā)和制造。
在融資方面，通用半導體在2021年8月和2023年8月分別完成天使輪和A輪融資，投資方包括天演基金、拉薩楚源、渾璞投資、東北證券、鼎心資本等機構(gòu)。
在產(chǎn)品方面，通用半導體于2020年研發(fā)出國內(nèi)首臺半導體激光隱形切割機；2022年成功推出國內(nèi)首臺18納米及以下SDBG激光隱切設備（針對3D Memory)；2023年成功研發(fā)國內(nèi)首臺8英寸全自動SiC晶錠激光剝離產(chǎn)線；2024年研制成功SDTT激光隱切設備（針對3D HBM）。
值的一提的是，2023年12月，通用半導體自主研發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）晶錠剝離產(chǎn)線已完成交付。
通用半導體表示，隨著公司激光隱切設備產(chǎn)品覆蓋度持續(xù)提升，市場應用規(guī)模的不斷擴大，且公司持續(xù)保持高強度的研發(fā)投入，迭代升級各產(chǎn)品系列。（來源：通用半導體、集邦化合物半導體整理）
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