8月20日，中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)園公告了第18次園區(qū)審議會(huì)核準(zhǔn)投資案（竹科）詳情。其中，環(huán)翔科技股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱“環(huán)翔科技”）、碳矽電子股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱“碳矽電子”）增資議案被批通過，二者分在氮化鎵（GaN）/碳化硅（SiC）領(lǐng)域有所布局。
公告顯示，環(huán)翔科技此次獲資金額達(dá)1億新臺(tái)幣（折合人民幣約2200萬元）。據(jù)悉，環(huán)翔科技的母公司為環(huán)宇通訊半導(dǎo)體控股股份有限公司（GCS Holdings, Inc），其主要產(chǎn)品包括氮化鎵功率半導(dǎo)體元件、氮化鎵射頻半導(dǎo)體元件、體聲波濾波器等3大化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用。
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產(chǎn)品可以滿足資料中心、AI服務(wù)器、電動(dòng)車充電等高壓高功率元件，還有5G通訊、民用雷達(dá)、低軌衛(wèi)星等行動(dòng)通訊功率放大器，以及穿戴式電子裝置、智慧自動(dòng)駕駛等耐受高轉(zhuǎn)換功率、高功率與BAW濾波器的市場(chǎng)需求。
而專注于碳化硅的碳矽電子主要產(chǎn)品包括SiC MOSFET、肖特基二極管及SiC相關(guān)技術(shù)服務(wù)。公司致力SiC功率元件結(jié)構(gòu)的開發(fā)，與中國(guó)臺(tái)灣SiC晶圓廠、代工廠緊密合作，提升SiC功率元件性能，使其具備高效能、高溫耐受性與長(zhǎng)壽命等優(yōu)勢(shì)，公司開發(fā)設(shè)計(jì)SiC MOSFET、肖特基二極管，電壓規(guī)格涵蓋650V–3300V。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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