9月10號(hào)晚，長(zhǎng)飛先進(jìn)宣布，公司武漢基地主體樓已全面封頂。
source：長(zhǎng)飛先進(jìn)
據(jù)悉，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，致力于打造一個(gè)集芯片設(shè)計(jì)、制造及先進(jìn)技術(shù)研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導(dǎo)體制造基地。項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過(guò)200億元，占地面積約22.94萬(wàn)㎡，建筑面積約30.15萬(wàn)㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動(dòng)力廠房、成品庫(kù)、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。
日前，長(zhǎng)飛先進(jìn)的晶圓廠、封測(cè)廠、外延廠、宿舍樓與綜合樓已實(shí)現(xiàn)封頂。
據(jù)介紹，10月開(kāi)始，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地將迎來(lái)首批設(shè)備搬入，并于2025年6月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)通線。項(xiàng)目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬(wàn)片SiC晶圓及外延、6100萬(wàn)個(gè)功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光儲(chǔ)充等領(lǐng)域。
長(zhǎng)飛先進(jìn)專(zhuān)注于SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造，具備從外延生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造到模塊封測(cè)的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。
目前，長(zhǎng)飛先進(jìn)產(chǎn)品覆蓋650V-3300V全電壓平臺(tái)的SiC MOSFET和SBD，應(yīng)用于車(chē)載主驅(qū)、車(chē)載OBC、光伏逆變器、充電樁逆變器、工業(yè)電源等全場(chǎng)景。長(zhǎng)飛先進(jìn)目前晶圓代工產(chǎn)品超過(guò)50款，自營(yíng)產(chǎn)品超過(guò)20款，其中1200V 15mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始導(dǎo)入市場(chǎng)，面向車(chē)載主驅(qū)逆變器應(yīng)用場(chǎng)景。（來(lái)源：集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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