11月14日，香港科技大學（廣州）宣布，學校孵化企業(yè)“拓諾稀科技”于近日完成天使輪融資。該輪融資數(shù)百萬元人民幣，由力合科創(chuàng)領投。
資料顯示，拓諾稀科技成立于2022年，公司專注于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導體器件的開發(fā)。
據介紹，拓諾稀科技提供的核心產品涵蓋高性能氧化鎵肖特基二極管（SBD）及其他新型半導體器件。公司采用MOCVD和mist-CVD雙重技術路線，能夠制備多種相態(tài)（β相、α相、ε相）氧化鎵薄膜，并實現(xiàn)精確的合金化與摻雜工藝。
source：香港科技大學霍英動研究院
據悉，氧化鎵作為一種新興的半導體材料，因其超寬禁帶特性，在高壓功率電子等領域展現(xiàn)出廣闊的應用前景。
目前，氧化鎵這一賽道的主要玩家主要集中在日本、中國和美國。其中，日本在氧化鎵的研究和產業(yè)化方面目前處于領先地位。目前，我國也在積極推動氧化鎵的研發(fā)和產業(yè)化進程，以期在未來的半導體市場中占據一席之地。（集邦化合物半導體整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。