11月21日，相關(guān)環(huán)保網(wǎng)披露了文件顯示，廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱“士蘭明鎵”）碳化硅（SiC）功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目已驗收。
根據(jù)相關(guān)環(huán)保網(wǎng)文件顯示，該項目依托現(xiàn)有廠房，新增一條SiC產(chǎn)線，主要生產(chǎn)SiC功率芯片產(chǎn)品。
項目新增SiC產(chǎn)能規(guī)模為MOSFET芯片28.8萬片/年、SBD芯片28.8萬片/年，同時減少GaN外延的藍綠光LED芯片57.6萬片/年（其外延產(chǎn)能不變，多余外延片外售）、總共為芯片產(chǎn)能672萬片（等效2吋）。
據(jù)了解，該項目為士蘭明鎵二期項目。
source：士蘭明鎵
2017年12月18日，士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團在廈門簽署了投資合作協(xié)議，雙方合作在廈門市海滄區(qū)建設(shè)一條4/6吋兼容的化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線，總投資50億元，其中一期總投資20億元，二期總投資30億元。項目由雙方參股公司士蘭明鎵負責(zé)建設(shè)。
截至2021年底，士蘭明鎵已完成第一期20億元的投資，形成了每月7.2萬片4英寸GaN和GaAS高端LED芯片的產(chǎn)能。
2022年7月，士蘭微發(fā)布公告稱，子公司士蘭明鎵啟動化合物半導(dǎo)體第二期建設(shè)，即實施”SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目”。士蘭明鎵擬建設(shè)一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，項目總投資為15億元，建設(shè)周期3年，最終形成年產(chǎn)14.4萬片6吋SiC功率器件芯片的產(chǎn)能（主要產(chǎn)品為SiC MOSFET、SiC SBD）。
值得一提的是，同在廈門市滄海區(qū)，士蘭微還布局了8英寸碳化硅產(chǎn)線。2024年5月21日，廈門市人民政府、廈門市海滄區(qū)人民政府與杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門共同簽署了《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。
按照協(xié)議約定，各方合作在廈門市海滄區(qū)建設(shè)一條以SiC MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。source：士蘭微該項目分兩期建設(shè)，項目一期投資規(guī)模70億元，二期投資規(guī)模約50億元，兩期建設(shè)完成后，將在廈門市海滄區(qū)形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。
項目于今年6月18日開工，一期預(yù)計將于2025年三季度末初步通線，四季度試生產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）
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