相關(guān)資訊：晶圓

印度開發(fā)出4英寸碳化硅晶圓工藝
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 13 日 15:56 | 分類 功率
據(jù)外媒報道，11月11日，印度國防研究與發(fā)展組織（DRDO）下屬的固體物理實驗室已成功開發(fā)出本土一種工藝，可以生長和制造直徑為4英寸的碳化硅（SiC）晶片。此外，他們還已制造出功率高達(dá)150W的氮化鎵（GaN）HEMT以及功率為40W的單片微波集成電路（MMIC），這些器件能夠在...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)實現(xiàn)6英寸AlN單晶復(fù)合襯底和晶圓制造全流程突破
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 06 日 16:13 | 分類 企業(yè)
近日，松山湖材料實驗室第三代半導(dǎo)體團(tuán)隊與西安電子科技大學(xué)郝躍院士課題組張進(jìn)成教授、李祥東教授團(tuán)隊，以及廣東致能科技有限公司聯(lián)合攻關(guān)，成功基于2~6英寸AlN單晶復(fù)合襯底制備了高性能GaNHEMTs晶圓。 得益于AlN單晶復(fù)合襯底的材料優(yōu)勢 (位錯密度居于2×108 cm-2數(shù)量級...  [詳內(nèi)文]

130um，全球最薄碳化硅晶圓片問世
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 12 日 17:20 | 分類 功率
江蘇通用半導(dǎo)體有限公司（原：河南通用智能裝備有限公司，下文簡稱“通用半導(dǎo)體”）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研設(shè)備（碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備）成功實現(xiàn)剝離出130um厚度超薄SiC晶 8英寸SiC晶錠激光全自動剝離設(shè)備（source：通用半導(dǎo)體） 資料顯示，通用...  [詳內(nèi)文]

晶圓級立方SiC單晶生長取得突破
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 22 日 17:51 | 分類 功率
碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的載流子遷移率(2-4倍)、低的界面缺陷態(tài)密度(低1個數(shù)量級)和高的電子親和勢(3...  [詳內(nèi)文]

全球首個100mm的金剛石晶圓面世
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 08 日 14:56 | 分類 企業(yè)
近日，總部位于加利福尼亞州舊金山的Diamond Foundry Inc宣布制造出了世界上第一塊直徑為100毫米的單晶金剛石晶圓。 該公司計劃提供金剛石基板作為改善熱性能的途徑，這反過來又可以改善人工智能計算和無線通信以及更小的電力電子設(shè)備。 該公司使用一種稱為異質(zhì)外延的工藝來沉...  [詳內(nèi)文]

德州儀器又一12吋晶圓廠動工
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 03 日 14:28 | 分類 企業(yè)
德州儀器(TI)今天表示，其位于美國猶他州李海的新12吋半導(dǎo)體晶圓制造廠破土動工。TI總裁兼首席執(zhí)行官哈維夫·伊蘭慶祝新晶圓廠LFAB2 建設(shè)邁出了第一步，該工廠將連接到該公司現(xiàn)有的12吋晶圓廠萊希。一旦完成，TI的兩個猶他州晶圓廠每天將滿負(fù)荷生產(chǎn)數(shù)千萬個模擬和嵌入式處理芯片。 ...  [詳內(nèi)文]

投資20億美元，世界先進(jìn)將于新加坡建12英寸晶圓廠
作者 |發(fā)布日期 2023 年 10 月 24 日 13:43 | 分類 功率
據(jù)中國臺灣經(jīng)濟(jì)日報報道，世界先進(jìn)將投資約20億美元在新加坡建立旗下首座12英寸晶圓廠，該廠生產(chǎn)的晶圓將用于制造車載芯片。若建廠計劃順利推行，這將會是世界先進(jìn)近年來最大的一筆投資。 早在2019年，世界先進(jìn)就以2.36億美元收購格芯在新加坡建造的一座8英寸晶圓代工廠，用于各式傳感器...  [詳內(nèi)文]

三菱電機(jī)加速布局，首條12英寸產(chǎn)線安裝調(diào)試完成
作者 |發(fā)布日期 2023 年 09 月 06 日 17:11 | 分類 功率
根據(jù)外媒報道，三菱電機(jī)已經(jīng)在其位于日本福山的工廠完成了第一條300mm晶圓產(chǎn)線的設(shè)備安裝調(diào)試，樣品生產(chǎn)和測試驗證了生產(chǎn)線上加工的功率半導(dǎo)體芯片達(dá)到了所需的性能水平。 報道稱，三菱電機(jī)計劃于2025財年開始量產(chǎn)300mm 功率硅晶圓生產(chǎn)線。目標(biāo)是到2026財年將其硅功率半導(dǎo)體晶圓的...  [詳內(nèi)文]

捷捷微電擬上調(diào)6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線總投資額
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 22 日 16:58 | 分類 氮化鎵GaN
2月22日，捷捷微電發(fā)布關(guān)于全資子公司功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線建設(shè)項目變更投資總額的公告。 據(jù)介紹，捷捷微電于2021年7月召開的董事會上審議通過了《關(guān)于對外投資的議案》，同意公司全資子公司捷捷半導(dǎo)體建設(shè)“功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線建設(shè)項目”，總投資5.1億...  [詳內(nèi)文]