相關資訊：氮化鎵

麻省理工學院推出氮化鎵與硅芯片3D集成新技術
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 24 日 14:44 | 分類 氮化鎵GaN
近日，麻省理工學院（MIT）的研究團隊取得了一項重大技術突破，開發(fā)出一種創(chuàng)新的制造工藝，能夠將高性能氮化鎵（GaN）晶體管與標準硅芯片進行三維集成。這一成果有望顯著提升高頻應用（如視頻通話和實時深度學習）的性能表現，為半導體技術的發(fā)展開辟新的道路。 圖片來源：麻省理工學院新聞 ...  [詳內文]

羅姆為英偉達800V HVDC架構提供高性能電源解決方案
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 24 日 14:27 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
6月23日，羅姆宣布成為支持英偉達全新800V高壓直流（HVDC）架構的主要硅供應商之一。 羅姆介紹，公司不僅提供硅（Si）功率元器件，還擁有包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等#寬禁帶半導體?在內的豐富產品陣容，可為數據中心的設計提供更優(yōu)解決方案。 羅姆的Si MOSFET...  [詳內文]

深圳平湖實驗室GaN課題組迎新成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 23 日 14:29 | 分類 氮化鎵GaN
近期，深圳平湖實驗室的論文《肖特基型p-GaN柵HEMT中雙跨導峰與單跨導峰的演變：部分耗盡與完全耗盡p-GaN層的影響》被IEEE ISPSD確認接收，論文第一作者為劉軒博士，通訊作者為萬玉喜、David Zhou。 IEEE ISPSD涵蓋了功率半導體器件、功率集成電路、工藝...  [詳內文]

先為科技首臺GaN MOCVD外延設備正式發(fā)貨
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 18 日 13:53 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
“先為科技”官微消息，6月16日無錫先為科技有限公司首臺 GaN MOCVD BrillMO 外延設備正式發(fā)往國內頭部的化合物半導體企業(yè)。 圖片來源：先為科技 先為科技表示，此次發(fā)貨的 GaN MOCVD BrillMO 外延設備，各項性能均達到行業(yè)領先水平。該設備運用特有的溫...  [詳內文]

GaN驅動電源革新，多款氮化鎵電源產品發(fā)布
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 13 日 17:00 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
在科技飛速發(fā)展的當下，氮化鎵（GaN）技術正以其卓越的性能，為電源領域帶來一場深刻變革。近期，MPS芯源系統(tǒng)和小米生態(tài)鏈企業(yè)酷態(tài)科，分別推出集成氮化鎵技術的新產品，引發(fā)行業(yè)廣泛關注。 1、MPS發(fā)布集成氮化鎵的高效電源方案 6月初，MPS芯源系統(tǒng)發(fā)布兩款新品——NovoOne開關...  [詳內文]

華東理科大學氮化鎵晶圓檢測研究新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 11 日 17:11 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，華東理科大學上海市智能感知與檢測技術重點實驗室智能傳感團隊在氮化鎵晶圓檢測研究中取得重要進展。 圖片來源：華東理科大學 團隊利用開發(fā)的二維有機薄膜憶阻器實現了有圖案晶圓的缺陷檢測和無圖案晶圓的表面粗糙度分類。 相關研究成果以“Covalent organic framew...  [詳內文]

穩(wěn)懋半導體發(fā)布基于SiC襯底的0.12μm GaN HEMT
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 06 日 13:56 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）技術正迎來重大突破。近日，純化合物半導體代工廠#穩(wěn)懋半導體（WIN Semiconductors）推出基于SiC襯底的0.12微米柵極長度D型GaN HEMT技術，預計2025年第三季度量產，這將顯著提升高頻射頻電路性能，加速GaN技術在5G/...  [詳內文]

國產首顆機器人關節(jié)“氮化鎵驅動器芯片”正式商用
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 06 日 13:49 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，中科無線半導體有限公司正式宣布，其基于氮化鎵（GaN）HEMT工藝的機器人關節(jié)ASIC驅動器芯片已成功推出并投入商用。該芯片作為中科半導體機器人動力系統(tǒng)芯片家族 “機器人關節(jié)驅動器芯片系列” 的重要一員，具備卓越性能，可有效滿足高功率密度場景需求。 圖片來源：中科半導體 ...  [詳內文]

瑞薩電子：從SiC“斷臂”到GaN戰(zhàn)略性布局
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 05 日 15:30 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，日本半導體大廠瑞薩電子（Renesas）傳出解散其碳化硅（SiC）團隊，并取消原定于2025年初的SiC功率半導體量產計劃，這一消息在半導體行業(yè)激起千層浪。 結合多方消息顯示，目前瑞薩電子正準備出售其位于群馬縣高崎工廠的全新碳化硅設備，而其群馬縣高崎工廠或改回做傳統(tǒng)的硅基市...  [詳內文]

布里斯托大學團隊實現 GaN 突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 03 日 9:24 | 分類 氮化鎵GaN
近日，英國布里斯托大學研究團隊在《自然·電子學》（Nature Electronics）期刊發(fā)表突破性研究，首次揭示了氮化鎵（GaN）多通道晶體管中鎖存效應的物理機制，并成功開發(fā)出超晶格城堡場效應晶體管（SLCFET）技術。 圖片來源：《自然·電子學》期刊截圖 該研究通過設計超...  [詳內文]