相關資訊：英諾賽科

英諾賽科擬赴港上市
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 06 日 17:50 | 分類 企業(yè)
3月5日，據(jù)《路透社》旗下IFR報道，英諾賽科正計劃最早于今年內(nèi)，在香港進行IPO，融資規(guī)模約3億美元。 消息還指出，英諾賽科正與中金公司、招銀國際就上市一事進行合作。 據(jù)悉，英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術企業(yè)。而...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科2023年累計出貨量超5億顆
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 18 日 18:06 | 分類 氮化鎵GaN
2024年已過去一個半月，第三代半導體領域相關廠商也相繼公布了過去2023年的發(fā)展成果。2月7日，英諾賽科便公布了2023年在出貨量、新品開發(fā)、技術研發(fā)、應用創(chuàng)新、市場開拓、品質(zhì)保障等取得的成果，各方面表現(xiàn)有些看點。 硅基GaN芯片累計出貨量超5億顆 從出貨量來看，英諾賽科截至2...  [詳內(nèi)文]

融資貸款13億，英諾賽科正式啟用全球研發(fā)中心
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 21 日 17:35 | 分類 企業(yè)
作為全球GaN賽道重量級選手，英諾賽科的一舉一動自然都是行業(yè)關注的焦點。 11月20日，英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用，未來將打造成為新型寬禁帶半導體材料與器件研發(fā)基地，同時開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究，全面提升氮化鎵材料與器件的整體競爭力。 誠如英諾賽科（蘇州）科技股份有...  [詳內(nèi)文]

損耗降低50%，英諾賽科發(fā)布全鏈路InnoGaN數(shù)據(jù)中心方案
作者 |發(fā)布日期 2023 年 10 月 08 日 17:45 | 分類 企業(yè)
10月8日，英諾賽科官方公眾號發(fā)文表稱，數(shù)據(jù)中心采用全鏈路GaN設計方案，能夠提高能源轉(zhuǎn)換效率，將系統(tǒng)損耗降低50%。 據(jù)悉，英諾賽科從前端PSU電源到主板DC/DC模塊，以及芯片的直接供電方面，都提供了GaN方案。 前端PSU電源方面，英諾賽科推出 2kW PSU參考設計，采用...  [詳內(nèi)文]

功率GaN漸入佳境，《2023 GaN功率半導體市場分析報告》全新發(fā)布
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 16 日 17:38 | 分類 數(shù)據(jù)
根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導體市場分析報告》顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復合增長率高達65%。 Source：TrendForce集邦咨詢 GaN功率元件市場的發(fā)展主要由消費電子所...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科：GaN出貨量突破3億顆，上半年銷售額增長500%！
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 16 日 17:32 | 分類 氮化鎵GaN
今日，英諾賽科官方宣布，截至8月，8英寸硅基GaN芯片出貨量已成功突破3億顆，目前，InnoGaN產(chǎn)品已在消費類（快充、手機、LED），汽車激光雷達，數(shù)據(jù)中心，新能源與儲能領域的多個應用中大批量交付，幫助客戶實現(xiàn)小體積、高能效、低損耗的產(chǎn)品設計。 出貨量漲勢強勁，上半年銷售額增...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科100V GaN再添新品
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 09 日 17:40 | 分類 功率
英諾賽科宣布推出兩款 100V 新品氮化鎵功率器件，旨在提高電源功率轉(zhuǎn)換效率，降低系統(tǒng)損耗與成本。產(chǎn)品可應用于太陽能光伏逆變、光伏優(yōu)化器、高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器及電機驅(qū)動等場景。 英諾賽科 此前，英諾賽科已相繼發(fā)布了 INN100W032A、INN100W027A、INN100W...  [詳內(nèi)文]

直擊2023亞洲充電展：英諾賽科、納微等17家三代半龍頭聚集
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 04 日 15:57 | 分類 展會
3月14日，為期三天的2023（春季）亞洲充電展在深圳正式開幕?，F(xiàn)場展示和發(fā)布了數(shù)千款新品，覆蓋電源芯片、功率器件、被動器件、新能源產(chǎn)品、消費類電源、智能化設備等領域。 據(jù)TrendForce集邦咨詢化合物半導體市場了解到，此次展會，英諾賽科、基本半導體、納微半導體、芯塔電子、P...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科與思銳智能簽訂ALD設備采購協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 26 日 17:45 | 分類 氮化鎵GaN
今日，思銳智能官微發(fā)布消息，英諾賽科與公司簽訂了一項新的ALD設備的采購協(xié)議，根據(jù)協(xié)議，思銳智能將為英諾賽科供應用于GaN晶圓制造前道工藝的Transform系列量產(chǎn)型ALD沉積鍍膜設備，支持其8英寸硅基GaN晶圓產(chǎn)線的擴充。 01、英諾賽科深化GaN布局 英諾賽科8英寸晶圓產(chǎn)線...  [詳內(nèi)文]