5月16日，據(jù)英諾賽科官微消息，其宣布推出700V GaN合封系列新品ISG610xQA。據(jù)英諾賽科介紹，該系列新品針對消費電子領域定制開發(fā)，具備超高集成度，支持45W/60W/100W/140W等手機、平板、筆記本快充應用。
source：英諾賽科
據(jù)介紹，該系列產(chǎn)品集成了700V/140mΩ-450mΩ GaN功率器件，具備自適應驅動電路、無損電流采樣以及眾多保護功能，還具備零反向恢復電荷、2MHz高開關頻率、高達80V輸入電壓和115uA低靜態(tài)電流等特性。
通過與市面上同規(guī)格的合封產(chǎn)品對比，ISG610xQA系列新品輸入供電電壓較高，靜態(tài)電流較低。ISG610xQA系列新品支持AC-DC/DC-DC/DC-AC電源應用，可以適配PFC、QR反激、ACF、半橋、全橋拓撲，有利于PD快充、電源適配器等終端應用實現(xiàn)高效節(jié)能。
近期，英諾賽科還推出與FCQFN兼容引腳設計的Topside cooling封裝En-FCQFN GaN功率器件，包含4款Single GaN，均采用En-FCQFN 封裝，延續(xù)了低導阻、低柵極電荷、低開關損耗和極低的反向恢復電荷等特性，具有良好的效率表現(xiàn)。據(jù)介紹，相比FCQFN封裝，En-FCQFN 封裝在散熱性能上得到進一步優(yōu)化，能夠幫助終端應用解決系統(tǒng)溫升限制的困擾。
英諾賽科100V-150V GaN系列此前已有WLCSP、FCQFN、LGA等多種封裝類型產(chǎn)品，涵蓋不同的導通電阻和應用領域。英諾賽科表示，近期新增的4款與FCQFN兼容引腳設計的Topside cooling En-FCQFN封裝芯片，以其不同的導通電阻及不同的封裝類型，拓展了更廣的功率場景，同時優(yōu)化散熱，能夠解決客戶系統(tǒng)過熱問題。（來源：英諾賽科，集邦化合物半導體整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。