相關(guān)資訊：GaN

沖出地球！GaN功率半導(dǎo)體龍頭廠布局太空領(lǐng)域
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 07 日 17:50 | 分類 企業(yè)
近日，EPC?Space宣布與全球電子元件和服務(wù)分銷商安富利（Avnet）達成分銷協(xié)議。Avnet將成為EPC?Space耐輻射（抗輻射）氮化鎵（GaN）功率器件系列的全球分銷商，該系列產(chǎn)品適用于衛(wèi)星和高可靠性應(yīng)用。 據(jù)了解，EPC?Space是Efficient?Power?C...  [詳內(nèi)文]

GaN器件廠商Odyssey宣布出售資產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 20 日 14:58 | 分類 企業(yè)
近日，美國GaN器件廠商Odyssey宣布出售公司資產(chǎn)。 目前，Odyssey已與客戶簽署最終協(xié)議，將其大部分資產(chǎn)出售給一家大型半導(dǎo)體公司，交易金額為952萬美元，目前買家信息處于保密狀態(tài)。 資料顯示，Odyssey成立于2019年，專注基于專有的氮化鎵（GaN）處理技術(shù)開發(fā)高壓...  [詳內(nèi)文]

助力碳中和，GaN加深綠色能源領(lǐng)域滲透
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 18 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
自2018年10月25日，MU發(fā)布全球首款GaN充電器，將GaN正式引入消費電子領(lǐng)域以來，短短幾年間，各大GaN廠商紛紛涉足相關(guān)產(chǎn)品。當前，GaN消費電子產(chǎn)品市場已是一片紅海，競爭日趨激烈。 面對GaN在消費電子領(lǐng)域應(yīng)用現(xiàn)狀，相關(guān)企業(yè)開始尋求新的增量市場，GaN技術(shù)應(yīng)用由此逐步向...  [詳內(nèi)文]

GaN冰火兩重天：出售/倒閉VS擴產(chǎn)/降本
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 15 日 17:40 | 分類 產(chǎn)業(yè)
作為第三代半導(dǎo)體的翹楚，氮化鎵早已是企業(yè)跑馬圈地的重點賽道。而在近期，這一賽場風云不斷，砥礪前行者有之，中途撤場者亦有之。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 出售/倒閉事件增多 3月13日，美國垂直GaN器件廠商Odyssey官宣出售公司資產(chǎn)。據(jù)悉，Odyssey已與客戶簽署最終協(xié)議，...  [詳內(nèi)文]

SiC/GaN外延設(shè)備廠愛思強2023年業(yè)績創(chuàng)新高
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 13 日 15:47 | 分類 企業(yè)
近日，愛思強公布2023全年及四季度業(yè)績報告。盡管外部環(huán)境較為低迷，但在G10系列新設(shè)備及其他設(shè)備產(chǎn)品的推動下，2023全年愛思強仍實現(xiàn)了訂單量、銷售額和利潤的大幅增長。 01、2023年，訂單、營收、利潤創(chuàng)新高 2023全年，愛思強實現(xiàn)總營收6.299億歐元（約合人民幣49....  [詳內(nèi)文]

營收可達數(shù)百萬美元，納微GaN/SiC技術(shù)助攻AI數(shù)據(jù)中心
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 12 日 17:43 | 分類 企業(yè)
3月11日，納微半導(dǎo)體（下文簡稱“納微”）公布了其AI數(shù)據(jù)中心技術(shù)路線圖，為滿足預(yù)計在未來12-18月內(nèi)類似指數(shù)級增長的AI功率需求，路線圖中的產(chǎn)品功率將提高3倍。 納微表示，傳統(tǒng)CPU一般只需要300W，而數(shù)據(jù)中心交流/直流電源的功率大小通常等于10個CPU功率總和或3,000...  [詳內(nèi)文]

SiC/GaN外延廠百識電子完成A+輪投資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 11 日 17:50 | 分類 企業(yè)
3月11日，南京百識電子科技有限公司（下文簡稱“百識電子”）宣布，公司已完成A+輪融資，多家知名機構(gòu)參投。 據(jù)介紹，百識電子成立于2019年，可提供6吋碳化硅（SiC），以及6吋、 8吋硅基氮化鎵（GaN-on-Si）專業(yè)外延代工服務(wù)。 百識電子指出，2023年公司外延工藝和技術(shù)...  [詳內(nèi)文]

晶湛半導(dǎo)體GaN外延片生產(chǎn)擴建項目竣工驗收
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 07 日 17:47 | 分類 企業(yè)
近日，據(jù)“獨墅湖科創(chuàng)區(qū)發(fā)布”官微消息，晶湛半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）外延片生產(chǎn)擴建項目已于2024年1月15日取得竣工驗收備案證。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉，該項目占地面積16.5畝，總建筑面積2.2萬平方米，總投資2.8億元，預(yù)計年產(chǎn)6英寸GaN外延片12萬片，8英寸GaN...  [詳內(nèi)文]

降本增效，德州儀器轉(zhuǎn)型8英寸GaN工藝
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 06 日 18:00 | 分類 企業(yè)
德州儀器（TI）近日披露了在GaN功率器件工藝方面新的戰(zhàn)略規(guī)劃，該公司正在將其GaN-on-Si生產(chǎn)工藝從6英寸向8英寸過渡。 source：德州儀器 TI從6英寸轉(zhuǎn)型8英寸 3月5日，TI韓國總監(jiān)Ju-Yong Shin表示，TI正在美國達拉斯、日本會津和其他地方興建8英寸晶圓...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體項目遍地開花
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 04 日 16:37 | 分類 功率
近日，多個第三代半導(dǎo)體項目迎來最新進展。其中，重投天科第三代半導(dǎo)體項目、山東菏澤砷化鎵半導(dǎo)體晶片項目投資資金超30億。 總投資32.7億元，重投天科第三代半導(dǎo)體項目在深圳寶安啟用 據(jù)濱海寶安消息，2月27日，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳寶安區(qū)啟用，其由深圳市重投天科半導(dǎo)體...  [詳內(nèi)文]