相關(guān)資訊：GaN

SiC/GaN的2023年：10大年度事件盤(pán)點(diǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 22 日 10:55 | 分類 功率
歲末已至，“集邦化合物半導(dǎo)體”評(píng)選出了2023年度行業(yè)十大事件與大家分享。 一同回顧不凡的2023年。 作為近年來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)熱議話題之一，第三代半導(dǎo)體在能源結(jié)構(gòu)升級(jí)的過(guò)程中發(fā)揮著重要的作用。 隨著新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、充電樁等場(chǎng)景對(duì)電能轉(zhuǎn)換效率提出更高的要求，同時(shí)在成本和安...  [詳內(nèi)文]

湖南三安與Luminus簽訂獨(dú)家銷售協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 11 日 14:34 | 分類 功率
1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷售渠道，面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)。 湖南三安借力Luminus快速打入美洲市場(chǎng) 目前，湖南三安半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)分為兩部分，一是提供SiC二極管...  [詳內(nèi)文]

臺(tái)系GaN企業(yè)鴻鎵科技打進(jìn)日系供應(yīng)鏈
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 04 日 16:45 | 分類 企業(yè)
鴻鎵科技專注于氮化鎵（GaN）研發(fā)技術(shù)，提供節(jié)能省電的功率半導(dǎo)體組件與終端產(chǎn)品。深耕布局日本GaN快充市場(chǎng)、為中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)首家打入要求嚴(yán)格的日商供應(yīng)鏈公司; 研發(fā)技術(shù)也獲得電源大廠環(huán)隆科技所采用。鴻鎵科技提供的65W GaN快充，通過(guò)了日本PSE認(rèn)證。鴻鎵科技亦積極布局半導(dǎo)體領(lǐng)域...  [詳內(nèi)文]

1.25億，校企聯(lián)手瞄準(zhǔn)GaN
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 03 日 17:45 | 分類 企業(yè)
2024年1月2日，據(jù)外媒消息，亞利桑那州立大學(xué) (ASU) 與恩智浦半導(dǎo)體公司（下文簡(jiǎn)稱“恩智浦”）簽署了協(xié)議，雙方將在封裝領(lǐng)域建立新的合作伙伴關(guān)系。在亞利桑那州商務(wù)局的支持下，亞利桑那州立大學(xué)獲得了1750萬(wàn)美元（折合人民幣約1.25億元）的投資。 據(jù)介紹，亞利桑那州立大學(xué)此...  [詳內(nèi)文]

韓國(guó)APROSEMICON公司新建GaN生產(chǎn)基地
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 25 日 17:45 | 分類 企業(yè)
據(jù)外媒消息，近日，韓國(guó)APROSEMICON公司（首席執(zhí)行官Jonghyun Lim）將把其光州總部遷至慶北龜尾，并投資600億韓元（折合人民幣約3.3億元）建設(shè)以氮化鎵 (GaN) 為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施。 為此，該公司于12日與慶尚北道和龜尾市簽署了諒解備忘錄。Apros...  [詳內(nèi)文]

南京國(guó)盛第一枚GaN on Si外延片正式下線
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 25 日 17:43 | 分類 企業(yè)
12月22日，電科材料下屬國(guó)盛公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目第一枚硅基氮化鎵（GaN on Si）外延片正式下線。 據(jù)介紹，GaN on Si材料具有高頻率、低損耗、抗輻射性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，制成的器件還有一定的成本優(yōu)勢(shì)，具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。國(guó)盛公司制備的GaN on Si外延片，可以滿足電...  [詳內(nèi)文]

易達(dá)通GaN功率元件能源轉(zhuǎn)換效率已超92%
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 12 日 17:45 | 分類 功率
近日據(jù)報(bào)道，IDM創(chuàng)企易達(dá)通科技已推出多款氮化鎵（GaN）功率IC，采用藍(lán)寶石襯底及LED制程，獲得全球三大LED集團(tuán)青睞，其中2家已下單。執(zhí)行長(zhǎng)林仕國(guó)表示，GaN具有寬能隙、高電壓驅(qū)動(dòng)及耐高溫特性，搭載藍(lán)寶石襯底可制造各種功率元件，采用碳化硅（SiC）襯底則可制造射頻元件。 據(jù)...  [詳內(nèi)文]

中科重儀自研功率型GaN-on-Si生產(chǎn)線投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 11 日 17:41 | 分類 功率
近日，蘇州中科重儀半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱中科重儀）自主研發(fā)的應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的大尺寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片生產(chǎn)線正式建成并投入使用。 據(jù)介紹，目前GaN材料外延生長(zhǎng)的主流方法是金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法（MOCVD），由于針對(duì)功率型大尺寸GaN-on-Si材料...  [詳內(nèi)文]

蔚來(lái)手機(jī)采用納微GaN快充技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 08 日 17:30 | 分類 企業(yè)
12月7日，納微半導(dǎo)體宣布：近期新能源汽車領(lǐng)軍企業(yè)蔚來(lái)汽車發(fā)布的首款手機(jī)——NIO Phone，其隨機(jī)器標(biāo)配，最大充電功率達(dá)66W的GaN充電器采用了納微下一代搭載GaNSense?技術(shù)的GaNFast?GaN功率芯片。 source:納微半導(dǎo)體 據(jù)介紹，蔚來(lái)給該款手機(jī)配備了一...  [詳內(nèi)文]

德州儀器、利普思半導(dǎo)體推出GaN/SiC新品
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 01 日 18:20 | 分類 企業(yè)
德州儀器發(fā)布低功耗氮化鎵?(GaN)?系列新品 當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月30日，德州儀器?(TI)?發(fā)布低功耗氮化鎵?(GaN)?系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統(tǒng)效率，同時(shí)縮小交流/直流消費(fèi)類電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)的尺寸。 德州儀器的GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管?(FET)?全系列產(chǎn)品均集...  [詳內(nèi)文]