相關資訊：GaN

東部高科加快GaN和SiC布局
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 30 日 17:40 | 分類 功率
據(jù)韓媒ETnews消息，近日，韓國晶圓代工大廠東部高科（DB HiTek）聘請了一位來自安森美的功率半導體專家。 業(yè)內(nèi)人士透露，東部高科聘請了安森美半導體前技術開發(fā)高級總監(jiān)Ali Salih，并讓他負責氮化鎵（GaN）工藝開發(fā)。 Salih是一位功率半導體工藝開發(fā)人員，擁有約20...  [詳內(nèi)文]

GaN代工廠BelGaN將采購愛思強設備
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 22 日 17:35 | 分類 功率
德國半導體沉積設備廠商愛思強（AIXTRON）昨日（11/21）宣布，半導體代工廠BelGaN將采用公司的新型G10-GaN外延系統(tǒng)用以擴展自身業(yè)務。 據(jù)介紹，新型G10-GaN系統(tǒng)擁有一流的性能、全新緊湊設計以及可以大大降低每片晶圓的整體成本。該系統(tǒng)初始配置為8x150mm規(guī)格...  [詳內(nèi)文]

日本開發(fā)新技術，可實現(xiàn)GaN垂直導電
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 14 日 18:01 | 分類 功率
當?shù)貢r間11月13日，沖電氣工業(yè)株式會社（OKI）與信越化學合作，宣布成功開發(fā)出一種技術，該技術使用OKI的CFB（晶體薄膜鍵合）技術，從信越化學特殊改進的QST（Qromis襯底技術）基板上僅剝離氮化鎵（GaN）功能層，并將其粘合到不同材料的基材上。 該技術實現(xiàn)了GaN的垂直導...  [詳內(nèi)文]

封頂，譽鴻錦GaN項目建設進度再刷新
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 13 日 17:36 | 分類 企業(yè)
近日，譽鴻錦半導體二期產(chǎn)業(yè)園項目廠房舉行了主體結構封頂儀式，這標志著該公司GaN Super IDM 全產(chǎn)業(yè)鏈的布局與建設取得重大進展。 譽鴻錦提出的Super IDM產(chǎn)業(yè)集群概念，即“Super IDM產(chǎn)業(yè)集群 = 上游設備材料+IDM+終端技術應用+零售服務生態(tài)鏈”。 基于該...  [詳內(nèi)文]

寶馬與GaN柵極驅動器頭部廠商Allegro達成合作
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 10 日 17:03 | 分類 企業(yè)
Allegro MicroSystems于近日宣布，寶馬集團已選擇Allegro作為其所有電池驅動電動汽車車型牽引逆變器系統(tǒng)唯一的電流傳感器IC供應商。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 資料顯示，Allegro是一家傳感器和專用模擬功率IC無晶圓廠制造商，該公司的產(chǎn)品組合可為車輛電氣...  [詳內(nèi)文]

Power Integrations推出史上最高電壓GaN開關IC
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 01 日 18:11 | 分類 功率
Power Integrations（PI）?近日發(fā)布了據(jù)稱是世界上最高電壓的單開關GaN電源 IC，采用1250V PowiGaN開關。 InnoSwitc3-EP 1250V IC是PI的InnoSwitch恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產(chǎn)品系列的最新成員。據(jù)悉，它具有同...  [詳內(nèi)文]

南方科技大學團隊在GaN放大功率器件中獲得進展
作者 |發(fā)布日期 2023 年 09 月 26 日 17:45 | 分類 功率
9月25日，南方科技大學深港微電子學院官方公眾號發(fā)文稱，深港微電子學院助理教授方小虎團隊在GaN MMIC高效率C波段F類功率放大器和高效率寬帶毫米波功率放大器研究領域中取得進展。 高效率C波段F類功率放大器 C波段(4-8 GHz)射頻功率放大器是遠距離無線能量傳輸、合成孔徑雷...  [詳內(nèi)文]

SiC和GaN，這個問題不容忽視
作者 |發(fā)布日期 2023 年 09 月 26 日 10:13 | 分類 功率
在談到SiC和GaN這些炙手可熱的寬禁帶材料的時候，大家首先想到是其領先的特性，這讓它們在不少市場能尋找到一席之地。來到技術層面，讀者們可能對其襯底、外延、制造工藝、晶圓尺寸甚至制造設備等都有廣泛的關注。 其實，對于GaN和SiC，還有一個少被提及，但又非常重要的一環(huán)，那就是測試...  [詳內(nèi)文]