1月13日，投資中國臺灣事務所召開“歡迎臺商回臺投資行動方案”聯(lián)審會議，臺亞半導體斥資近90億臺幣擴大投資臺灣的方案獲通過。
根據投資方案，臺亞半導體將在竹科廠房興建無塵室，并增設智慧化產線、導入生產監(jiān)控數位系統(tǒng)。此舉是為了深耕氮化鎵化合物半導體的研發(fā)與制造，并開拓全球市場。預計投資完成后，將為臺灣創(chuàng)造127個高科技人才就業(yè)機會。
據悉，臺亞半導體擁有近40年半導體制造銷售與質量管理經驗，可以提供半導體整體解決方案，經營范圍包含半導體發(fā)光元件、感測元件、功率元件、磊晶材料、晶粒制造、元件封裝產品的生產制造。
此外，2022年8月11日，中國臺灣國科會還通過了鴻鎵科技中科分公司的投資案。據悉，鴻鎵科技擬投資2億新臺幣設立鴻鎵科技中科分公司，進駐中科臺中園區(qū)，主攻研制氮化鎵功率外延片及氮化鎵功率晶體等產品。
圖源：拍信網正版圖庫
事實上，近年來，中國臺灣的氮化鎵產業(yè)發(fā)展異?；鸨３松鲜銎髽I(yè)外，臺積電、漢磊、穩(wěn)懋、世界先進等也是中國臺灣氮化鎵產業(yè)的中堅力量。
其中，臺積電在GaN器件代工領域處于全球領先地位，其主要客戶包括意法半導體、納微半導體和GaN System等。目前，臺積電與IDM廠及IC設計業(yè)者合作開發(fā)的第一代硅基板氮化鎵技術平臺，已于2021年完成并進一步強化，該平臺支持多元應用。
漢磊于2021年4月宣布投資50億新臺幣，全力發(fā)展氮化鎵和碳化硅外延和器件代工。漢磊暨嘉晶董事長徐建華在2021年表示，漢磊將在未來2-3年投資0.8-1.0億美元，增加6英寸SiC產能達5-7倍，GaN月產能則倍增至2,000片。
穩(wěn)懋于2019年研發(fā)出一代0.25微米的GaN HEMT、2022年6月通過發(fā)布新的碳化硅0.12μm柵極技術上的氮化鎵擴展了其射頻GaN技術組合。產能方面，2020年，穩(wěn)懋獲準進駐南科高雄園區(qū)，斥資850億元新臺幣設廠，搶攻第三代半導體材料碳化硅與氮化鎵商機。該廠未來產能將超越現(xiàn)有桃園廠二倍。
世界先進則在2022年11月宣布，其領先的8英寸0.35微米650V的新基底高電壓氮化鎵制程（GaN-on-QST）已于客戶端完成首批產品系統(tǒng)及可靠性驗證，目前已正式進入量產。據介紹，世界先進的0.35微米650V GaN-on-QST制程能與公司既有的八英寸硅晶圓機臺設備在開發(fā)與生產上相互配合使用，以達最佳生產效率及良率。（化合物半導體市場 Winter整理）
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