近日，廣東省能源局發(fā)布廣東芯粵能半導體有限公司“面向車規(guī)級和工控領(lǐng)域的碳化硅芯片制造項目”節(jié)能報告的審查意見：項目采用的主要技術(shù)標準和建設(shè)方案符合國家相關(guān)節(jié)能法規(guī)及節(jié)能政策的要求，原則同意該項目節(jié)能報告。
據(jù)此前報道，這是國內(nèi)唯一一家專注于車規(guī)級、具備規(guī)?；a(chǎn)業(yè)聚集及全產(chǎn)業(yè)鏈配套能力的碳化硅芯片制造項目。項目的發(fā)展也推動廣州南沙成為國內(nèi)首個實現(xiàn)寬禁帶半導體全產(chǎn)業(yè)鏈布局的地區(qū)。
芯粵能碳化硅項目占地150畝，一期投資35億元，建成年產(chǎn)24萬片6英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)線；二期建設(shè)年產(chǎn)24萬片8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)線。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
產(chǎn)品包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件，主要應用于新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、智能電網(wǎng)以及光伏發(fā)電等領(lǐng)域，達產(chǎn)后年產(chǎn)值將達100億元。
項目主要建構(gòu)筑物包括生產(chǎn)廠房、生產(chǎn)調(diào)度廠房、研發(fā)廠房、綜合動力站、綜合倉庫、硅烷站、化學品庫、廢水處理站、危險品庫、大宗氣站等，主要設(shè)備包括光刻機、涂膠顯影機、刻蝕機、烘箱、高溫氧化爐管、高溫激活爐管、清洗機、冷水機組、純水制備系統(tǒng)、燃氣鍋爐等。
項目能耗量和主要能效指標：項目建成投產(chǎn)后，年綜合能耗不高于10277噸標準煤（當量值），其中年電力消耗量不高于6450萬千瓦時、天然氣消耗量不高于175萬立方米；項目集成電路晶圓制造單位產(chǎn)品電耗不高于0.72千瓦時/平方厘米。（文：集邦化合物半導體 Cecilia整理）
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