廣州發(fā)布2023重點建設項目計劃,多個三代半項目上榜

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 02 月 13 日 17:30 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

2月10日,廣州市發(fā)改委印發(fā)《廣州市2023年重點建設項目計劃》和《廣州市2023年重點建設預備項目計劃》,文件顯示,2023年,廣州共有647個重點建設正式項目,年度計劃投資3588億元;重點建設預備項目共153個,年度投資計劃197億元。

其中,在重點建設正式項目計劃中,多個LED與第三代半導體項目入列,并已進入竣工或續(xù)建階段:

廣東芯粵能半導體車規(guī)級和工控領域的碳化硅芯片制造項目(一期)

該項目位于廣州南沙,產(chǎn)品主要包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器,主要應用于新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、智能電網(wǎng)以及光伏發(fā)電等領域。

項目總投資75億元,占地面積150畝,預計項目一期達產(chǎn)年產(chǎn)值40億元,二期達產(chǎn)后合計年產(chǎn)值將達100億元,建成年產(chǎn)24萬片6英寸和24萬片8英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線。目前,一期項目進入竣工階段。

碳化硅單晶材料與晶片生產(chǎn)項目

資料顯示,項目總投資9億元,將開展碳化硅單晶材料研發(fā)、中試等工作,發(fā)力高科技芯片領域。同時,建設科研辦公綜合樓、半導體廠房,擴大晶體生長和加工規(guī)模,增加外延片加工生產(chǎn)線等,達產(chǎn)后年產(chǎn)各類襯底片和外延片共20萬片,年產(chǎn)值將達13.5億元。項目目前已進入竣工階段。

芯聚能新能源汽車第三代半導體研發(fā)和生產(chǎn)基地項目

芯聚能項目總投資達25億元,項目第一階段將建設用于新能源汽車的IGBT和SiC功率器件與模塊生產(chǎn)基地,同時實現(xiàn)工業(yè)級功率器件規(guī)?;a(chǎn)。第二階段將面向新能源汽車和自動駕駛的汽車功率模塊、半導體器件和系統(tǒng)產(chǎn)品,延伸并形成從芯片到封裝、模塊的產(chǎn)業(yè)鏈聚集。項目目前進入續(xù)建階段。

廣州華星第8.6代氧化物半導體新型顯示器件生產(chǎn)線項目

該項目簡稱TCL廣州t9項目,投資350億元,月產(chǎn)能18萬張玻璃基板,是全球第一家導入4mask Oxide技術的產(chǎn)線,也是全球唯一兼容LCD、Micro LED、IJP OLED的高世代面板產(chǎn)線,聚焦IT、車載、醫(yī)療、工控和航空等應用場景。去年9月,該項目已進入投產(chǎn)階段,目前項目已進入竣工階段。

鴻利光電LED新型背光顯示二期項目

鴻利光電LED新型背光顯示二期項目,總投資20億元,項目建筑面積15.98萬平方米,研發(fā)生產(chǎn)MiniLED、 Micro LED等發(fā)光二極管、半導體器件、照明器件。目前項目已進入竣工階段。

聯(lián)晶智能LED車燈模組研發(fā)與生產(chǎn)基地

聯(lián)晶智能LED車燈模組研發(fā)與生產(chǎn)基地,總投資16.3億元,該項目定位建設高科技研發(fā)中心、智能制造中心,涉及智能LED半導體研發(fā)、檢測、生產(chǎn)制造等,可提供LED車燈PCBA產(chǎn)品及LED遠、近光車燈模組產(chǎn)品。2023年,該項目將進入續(xù)建階段。(文:LEDinside)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。