2月10日，廣州市發(fā)改委印發(fā)《廣州市2023年重點建設(shè)項目計劃》和《廣州市2023年重點建設(shè)預備項目計劃》，文件顯示，2023年，廣州共有647個重點建設(shè)正式項目，年度計劃投資3588億元；重點建設(shè)預備項目共153個，年度投資計劃197億元。
其中，在重點建設(shè)正式項目計劃中，多個LED與第三代半導體項目入列，并已進入竣工或續(xù)建階段：
廣東芯粵能半導體車規(guī)級和工控領(lǐng)域的碳化硅芯片制造項目（一期）
該項目位于廣州南沙，產(chǎn)品主要包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器，主要應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、智能電網(wǎng)以及光伏發(fā)電等領(lǐng)域。
項目總投資75億元，占地面積150畝，預計項目一期達產(chǎn)年產(chǎn)值40億元，二期達產(chǎn)后合計年產(chǎn)值將達100億元，建成年產(chǎn)24萬片6英寸和24萬片8英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線。目前，一期項目進入竣工階段。
碳化硅單晶材料與晶片生產(chǎn)項目
資料顯示，項目總投資9億元，將開展碳化硅單晶材料研發(fā)、中試等工作，發(fā)力高科技芯片領(lǐng)域。同時，建設(shè)科研辦公綜合樓、半導體廠房，擴大晶體生長和加工規(guī)模，增加外延片加工生產(chǎn)線等，達產(chǎn)后年產(chǎn)各類襯底片和外延片共20萬片，年產(chǎn)值將達13.5億元。項目目前已進入竣工階段。
芯聚能新能源汽車第三代半導體研發(fā)和生產(chǎn)基地項目
芯聚能項目總投資達25億元，項目第一階段將建設(shè)用于新能源汽車的IGBT和SiC功率器件與模塊生產(chǎn)基地，同時實現(xiàn)工業(yè)級功率器件規(guī)?；a(chǎn)。第二階段將面向新能源汽車和自動駕駛的汽車功率模塊、半導體器件和系統(tǒng)產(chǎn)品，延伸并形成從芯片到封裝、模塊的產(chǎn)業(yè)鏈聚集。項目目前進入續(xù)建階段。
廣州華星第8.6代氧化物半導體新型顯示器件生產(chǎn)線項目
該項目簡稱TCL廣州t9項目，投資350億元，月產(chǎn)能18萬張玻璃基板，是全球第一家導入4mask Oxide技術(shù)的產(chǎn)線，也是全球唯一兼容LCD、Micro LED、IJP OLED的高世代面板產(chǎn)線，聚焦IT、車載、醫(yī)療、工控和航空等應(yīng)用場景。去年9月，該項目已進入投產(chǎn)階段，目前項目已進入竣工階段。
鴻利光電LED新型背光顯示二期項目
鴻利光電LED新型背光顯示二期項目，總投資20億元，項目建筑面積15.98萬平方米，研發(fā)生產(chǎn)MiniLED、 Micro LED等發(fā)光二極管、半導體器件、照明器件。目前項目已進入竣工階段。
聯(lián)晶智能LED車燈模組研發(fā)與生產(chǎn)基地
聯(lián)晶智能LED車燈模組研發(fā)與生產(chǎn)基地，總投資16.3億元，該項目定位建設(shè)高科技研發(fā)中心、智能制造中心，涉及智能LED半導體研發(fā)、檢測、生產(chǎn)制造等，可提供LED車燈PCBA產(chǎn)品及LED遠、近光車燈模組產(chǎn)品。2023年，該項目將進入續(xù)建階段。（文：LEDinside）
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