據“嘉興城南”官方消息，3月6日，博康（嘉興）半導體氮化鎵射頻功率芯片先導線項目正式開工。
該項目總投資約6億元，占地面積46667平方米，將新建工業(yè)廠房30543平米，并引進光刻機、磁控濺射機等設備約100臺套，用于生產通信用氮化鎵射頻芯片先導線，預計年產能將為3000片。
項目一期用地約33200平方米，主營4英寸氮化鎵射頻芯片、功放管，形成從GaN管芯到GaN氮化鎵功放管的系列化產品平臺，滿足客戶多元化的應用場景需求；二期則將拓展到6英寸砷化鎵（GaAs）射頻芯片產品。
圖片來源：拍信網正版圖庫
公開資料顯示，博康（嘉興）半導體成立于2022年10月，主營業(yè)務包括半導體分立器件制造、銷售及服務等。（化合物半導體市場 Winter整理）
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