8月13日，北京市生態(tài)環(huán)境局公示了天科合達第三代半導體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設二期項目（以下簡稱“二期項目”）環(huán)評審批。
文件指出，隨著北京天科合達創(chuàng)新能力、市場占有率的不斷提升，行業(yè)內(nèi)影響力不斷增強，計劃擴大生產(chǎn)規(guī)模，擬在現(xiàn)有廠區(qū)西側(cè)地塊建設二期項目。
二期項目位于北京市大興區(qū)大興新城東南片區(qū)0605-022C地塊為現(xiàn)有工程東側(cè)空地；項目總占地面積52790.032m2，總建筑面積105913.29m2，包括生產(chǎn)廠房、化學品庫、危廢庫、一般固廢庫、綜合樓、門衛(wèi)等。
公司擬購置長晶及附屬、晶體加工、晶片加工等工藝設備，新建6-8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線及研發(fā)中心，以及相關配套設施。
該項目用于擴大公司碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能，同時建設研發(fā)中心以對生產(chǎn)工藝和參數(shù)持續(xù)進行優(yōu)化和完善，投產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導電型碳化硅襯底，其中6英寸導電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導電型碳化硅襯底13.5萬片。
01、天科合達碳化硅襯底產(chǎn)能分布
據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計，截止今日，天科合達旗下碳化硅襯底生產(chǎn)項目已達5個。
資料顯示，天科合達在北京的現(xiàn)有廠區(qū)為公司第三代半導體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設項目（下文簡稱“一期項目”）。2020年8月17日，一期項目在北京市大興區(qū)開工，于2022年11月10日完成了竣工環(huán)境保護自主驗收。
一期項目總投資9.8億元，總占地面積33687.914m2，建筑面積55167.71m2，包括生產(chǎn)廠房、化學品庫、危 廢庫、一般固廢庫、科研與辦公用房、食堂及宿舍樓等。建設1條碳化硅晶片生產(chǎn)線，年產(chǎn)6英寸碳化硅襯底15萬片。
2019年12月27日，江蘇天科合達碳化硅晶片一期項目順利建成投產(chǎn)。該項目總投資5億元，占地面積26000平方米，可年產(chǎn)4-8英寸碳化硅襯底6萬片。
2023年8月8日，江蘇天科合達徐州碳化硅晶片二期項目開工，項目總投資8.3億元，達產(chǎn)后，可實現(xiàn)年產(chǎn)碳化硅襯底16萬片。2023年12月28日，該項目已全面封頂，預計今年投產(chǎn)。
2024年2月27日，由天科合達子公司深圳重投天科負責運營的第三代半導體碳化硅材料生產(chǎn)基地也于在深圳寶安區(qū)啟動，預計今年襯底和外延產(chǎn)能達25萬片。
小結(jié)
近年來，因在電動汽車等電氣領域表現(xiàn)優(yōu)異，碳化硅功率器件大受市場追捧。
據(jù)TrendForce集邦咨詢《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，碳化硅在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預估2028年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達到91.7億美金。
市場對碳化硅功率器件的需求增長也拉動了碳化硅襯底材料的出貨。
天科合達在2023年11月表示，2023年下半年，公司營收首次突破10億元，截至2023年10月份，公司營收已經(jīng)較2022年全年翻一番。
據(jù)此來看，仍處于上升周期的碳化硅功率器件市場，對碳化硅襯底的需求是推動天科合達持續(xù)擴產(chǎn)的主要動力。后續(xù)，隨著天科合達的碳化硅襯底項目正式投產(chǎn)，國內(nèi)碳化硅襯底產(chǎn)量再將迎來提升。（集邦化合物半導體Rick）
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