11月15日，據(jù)中鐵建工集團消息，國博射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化（二期）項目主體結(jié)構(gòu)已全面封頂，全面轉(zhuǎn)入二次結(jié)構(gòu)、機電安裝及裝飾裝修施工階段。
source：中鐵建工集團
據(jù)悉，國博射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目由南京國博電子有限公司投資建設(shè)，占地面積約203畝，總投資30億元，新建廠房及附屬設(shè)施，新增設(shè)備五百余臺套。項目分兩期建設(shè)，其中一期用地面積約103畝，建筑面積約15.1萬平方米；二期用地面積約100畝，建筑面積約7.5萬平方米。
上述一期項目投資額20億元，中試廠房、芯片廠房、模塊廠房等設(shè)施已于2023年竣工投產(chǎn)；二期項目將重點補充射頻集成電路封測制造能力，建成后與一期形成射頻集成電路規(guī)模化設(shè)計、制造能力。
據(jù)悉，國博電子成立于2000年，位于南京市江寧區(qū)，隸屬于中國電子科技集團有限公司。國博電子主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
今年前三季，國博電子實現(xiàn)營收18.13億元，同比減少35.83%；歸屬于上市公司股東的凈利潤3.06億元，同比減少31.93%。2024年第三季，公司實現(xiàn)營收5.11億元，同比減少43.51%；歸屬于上市公司股東的凈利潤6185萬元，同比減少56.28%。
值得一提的是，國博電子近期接受調(diào)研時表示，公司的GaN射頻模塊目前主要應(yīng)用于國內(nèi)5G通信基站，產(chǎn)品功率覆蓋100W-600W，主流通信頻段均有批量應(yīng)用。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）
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