近日，SiC外延生長(zhǎng)CVD設(shè)備供應(yīng)商納設(shè)智能成功研制出更大尺寸具有更多創(chuàng)新技術(shù)的8英寸碳化硅外延設(shè)備，此設(shè)備具備獨(dú)特反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)、可獨(dú)立控制的多區(qū)進(jìn)氣方式、以及智能的控制系統(tǒng)，將更好的提高外延片的均勻性，降低外延缺陷及生產(chǎn)中的耗材成本。
sourse：納設(shè)智能
目前，6英寸碳化硅技術(shù)已經(jīng)趨向成熟，產(chǎn)業(yè)正在向8英寸邁進(jìn)，相信在不久的將來(lái)會(huì)進(jìn)入8英寸時(shí)代。晶圓尺寸越大，外延工藝難度也就越大，必然對(duì)設(shè)備提出更高的要求，正所謂“一代設(shè)備，一代工藝”，納設(shè)智能開(kāi)發(fā)的8英寸碳化硅外延設(shè)備順應(yīng)了產(chǎn)業(yè)向更大尺寸的發(fā)展趨勢(shì)，在技術(shù)上具有前瞻性，同時(shí)能夠向下兼容6英寸外延，非常符合當(dāng)前市場(chǎng)對(duì)于6英寸和8英寸兼容的需求。
目前，納設(shè)智能已實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅外延設(shè)備的交付，該設(shè)備在客戶現(xiàn)場(chǎng)生產(chǎn)的外延片厚度不均勻性≤2%，濃度不均勻性~4%，表面粗糙度≤0.3cm-2，缺陷控制良好。
近年來(lái)，隨著SiC應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展，需求的激增，產(chǎn)業(yè)對(duì)于SiC外延片品質(zhì)和產(chǎn)能要求不斷提高，SiC外延設(shè)備也就占據(jù)了產(chǎn)業(yè)鏈上游關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
SiC外延層的制備方法主要有：化學(xué)氣相沉積（CVD）；液相外延生長(zhǎng)（LPE）；分子束外延生長(zhǎng)（MBE）等。其中CVD法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長(zhǎng)速度適中、過(guò)程可自動(dòng)控制等優(yōu)點(diǎn)，是目前已經(jīng)成功商業(yè)化的SiC外延技術(shù) 。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。