10月16日，根據(jù)韓媒 ETNEWS的報道，據(jù)業(yè)內人士透露，三星電子近期聘請安森美半導體前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔任副總裁，負責監(jiān)督SiC功率半導體業(yè)務，并在其內部組織了SiC功率半導體業(yè)務V-TF部門。
Hong是功率半導體專家，在加入三星電子之前，曾在英飛凌、仙童、安森美半導體等全球主要功率半導體公司工作約25年。
目前，Hong正在尋找SiC商業(yè)化的團隊成員，同時通過與韓國功率半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈和學術界互動，進行市場和商業(yè)可行性研究。
據(jù)悉，早先三星宣布正式進軍GaN業(yè)務的時候也曾提前成立過相關的業(yè)務小組。
Hong或將主導SiC功率半導體業(yè)務方向和切入點的規(guī)劃。
除了SiC商業(yè)化之外，三星電子還開始全面籌備GaN功率半導體業(yè)務。三星已決定購買Aixtron最新的MOCVD設備，用于加工GaN和SiC晶圓，投資規(guī)模預計至少達到7000億-8000億韓元（約為5.4億-6.2億美元）。
目前，三星的第三代半導體的代工業(yè)務預計2025年才能開始進行，目前仍是正處于研究和樣品生產(chǎn)階段，只需要少量設備。然而，他們必須根據(jù)未來的量產(chǎn)計劃進行大量的設備投資。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢分析2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元，年成長41.4%，并預估至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_53.3億美元。
此前，三星規(guī)劃用8 英寸晶圓制造GaN 和SiC 半導體，直接跳過多數(shù)功率半導體商用6 英寸晶圓切入階段。這在6英寸還是主流的當下，吸引了大家的關注。
而三星加碼對GaN和SiC的布局，或許還和其晶圓代工業(yè)務受到了沖擊有關。
半導體廠稼動率變化，向來是影響公司盈虧的重要指標。
TrendForce集邦咨詢最新研究估計，三星8英寸晶圓廠2024 年稼動率恐掉到50%，主要因全球半導體需求萎縮，一時半刻難見起色，加上地緣政治影響，拖累三星接單下滑。
SiC和GaN的功率半導體市場需求日益增大，加上三星Si晶圓的業(yè)務受到了沖擊，且DB Hitek和Key Foundry等廠商也在加速布局，三者都預計在2025年至2026年將8英寸GaN代工服務商業(yè)化。
受這三方面的影響，三星不得不加快其有關GaN和SiC上的布局，以期爭取更多市場，扭轉企業(yè)的傳統(tǒng)晶圓代工的頹勢。（化合物半導體市場Morty整理）
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