安世半導(dǎo)體推出首款SiC MOSFET
11月30日，Nexperia宣布推出其首款SiC MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。
NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝選擇。此次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動(dòng)汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)逆變器等汽車和工業(yè)應(yīng)用對(duì)高性能SiC MOSFET的需求。
Nexperia高級(jí)總監(jiān)兼SiC產(chǎn)品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱電機(jī)希望這兩款首發(fā)產(chǎn)品可以激發(fā)更多的創(chuàng)新，推動(dòng)市場涌現(xiàn)更多功率器件供應(yīng)商。Nexperia現(xiàn)可提供SiC MOSFET器件，這些器件的多個(gè)參數(shù)性能均超越同類產(chǎn)品，例如極高的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、較低的體二極管壓降、嚴(yán)格的閾值電壓規(guī)格以及極其均衡的柵極電荷比，能夠安全可靠地防止寄生導(dǎo)通。這是我們與三菱電機(jī)承諾合作生產(chǎn)高質(zhì)量SiC MOSFET的開篇之作。毫無疑問，在未來幾年里，我們將共同推動(dòng)SiC器件性能的發(fā)展。”
來源：安世半導(dǎo)體
Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件
近日，Transphorm推出了一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET。
source：Transphorm
新產(chǎn)品TP65H070G4RS晶體管的導(dǎo)通電阻為72毫歐，為業(yè)界首個(gè)采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝GaN器件。
針對(duì)不適合使用傳統(tǒng)底部散熱型表貼器件的系統(tǒng)，TOLT封裝為客戶提供了更為靈活的熱管理方案。采用TOLT封裝，不僅熱性能可媲美廣泛使用的、熱性能穩(wěn)定的TO-247插孔封裝，還具有基于SMD的印刷電路板組裝（PCBA）實(shí)現(xiàn)高效制造流程的額外優(yōu)勢。
TP65H070G4RS 采用了 Transphorm 高性能 650V 常閉型 d-mode GaN平臺(tái)，該平臺(tái)具有更低的柵極電荷、輸出電容、交叉損耗、反向恢復(fù)電荷和動(dòng)態(tài)電阻，從而效率優(yōu)于硅、SiC和其他GaN產(chǎn)品。SuperGaN 平臺(tái)的優(yōu)勢與 TOLT 封裝更好的散熱性及系統(tǒng)組裝靈活性相結(jié)合，為尋求推出具有更高功率密度和效率、總體功率系統(tǒng)成本更低的電源系統(tǒng)客戶提供了高性能、高可靠性的GaN解決方案。
來源：Transphorm
瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET
11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω，主要用于各類輔助電源，在新能源汽車、光儲(chǔ)充等領(lǐng)域有廣泛需要，現(xiàn)已通過多家知名客戶評(píng)估測試，逐步批量交付應(yīng)用。
IV2Q171R0D7Z是瞻芯電子的第二代SiC MOSFET中1700V平臺(tái)的產(chǎn)品，驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15~18V，室溫下導(dǎo)通電流為6.3A。該產(chǎn)品采用車規(guī)級(jí)TO263-7貼片封裝，對(duì)比插件封裝，體積更小，阻抗更低，安裝更簡便，且有開爾文柵極引腳。因此該產(chǎn)品特別適合高電壓、小電流、低損耗的應(yīng)用場景。
來源：瞻芯電子
平創(chuàng)半導(dǎo)體推出1200V/1700V PC62封裝SiC模塊
11月28日，平創(chuàng)半導(dǎo)體推出了應(yīng)用于新能源變流器的PC62封裝SiC模塊，涵蓋1700V/1200V系列產(chǎn)品。
source:平創(chuàng)半導(dǎo)體
據(jù)介紹，PC62封裝SiC MOSFET半橋模塊采用平創(chuàng)半導(dǎo)體自研碳化硅芯片，模塊在VGS（th）、RDS（on）漂移和柵氧可靠性方面得到了明顯改善。此外，芯片對(duì)稱結(jié)構(gòu)布局、Clip互連工藝大幅提升了模塊載流能力，降低了寄生電感。
據(jù)悉，平創(chuàng)半導(dǎo)體是一家專注于功率半導(dǎo)體器件及創(chuàng)新解決方案的國家高新技術(shù)企業(yè)，公司主要產(chǎn)品為650V-3300V SiC二極管和1200V/1700V SiC MOSFET器件與模塊、硅基光伏二極管與模塊 (TO裝、R6封裝、定制化光伏模塊)，小信號(hào)器件、中低壓MOS、高性能工業(yè)控制及車規(guī)級(jí)功率器件與模塊(650V/1200V/1700VIGBT、FRD系列)，相關(guān)產(chǎn)品與技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、高端白色家電、充電樁、光伏、儲(chǔ)能等領(lǐng)域，服務(wù)客戶包含華潤微電子、晶科能源、國家電網(wǎng)、松下電器、隆鑫通用等明星企業(yè)。
來源：平創(chuàng)半導(dǎo)體
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