隨著碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，相關(guān)設(shè)備廠商獲得了更多出貨機(jī)會(huì)，近日，又有兩家SiC相關(guān)設(shè)備廠商成功完成了批量出貨。
廣州粵升液相法SiC單晶爐批量出貨
11月13日，廣州粵升半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（以下簡(jiǎn)稱廣州粵升）多臺(tái)SiC設(shè)備產(chǎn)品批量出貨。據(jù)悉，其出貨產(chǎn)品-液相法SiC單晶爐，是SiC產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，可為客戶提供高質(zhì)量、低成本的SiC襯底新方案。
資料顯示，廣州粵升成立于2021年9月，專注于SiC外延設(shè)備、SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)，助力客戶生產(chǎn)高質(zhì)量的SiC外延片和晶片。
成立兩年以來，廣州粵升產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)展較快。2022年6月，廣州粵升與廣州海創(chuàng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院合作，成立SiC外延設(shè)備研發(fā)中心；11月，首臺(tái)SiC外延設(shè)備研發(fā)成功；2023年2月，廣州粵升開始液相法SiC單晶設(shè)備的研發(fā)；9月，該公司SiC外延設(shè)備產(chǎn)品裝車交付；11月，液相法SiC單晶設(shè)備批量交付。
值得一提的是，廣州粵升自主研發(fā)的4/6英寸SiC外延設(shè)備，生長(zhǎng)的4/6英寸SiC外延片質(zhì)量均達(dá)到國際先進(jìn)水平，滿足MOSFET和SBD器件的制備要求，在一定程度上加速了SiC外延設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
優(yōu)睿譜晶圓電阻率測(cè)量設(shè)備發(fā)貨兩家客戶
近日，優(yōu)睿譜半導(dǎo)體設(shè)備（無錫）有限公司（以下簡(jiǎn)稱優(yōu)睿譜）宣布推出晶圓電阻率量測(cè)設(shè)備SICV200，目前已經(jīng)同時(shí)發(fā)貨兩家客戶。
據(jù)介紹，SICV200是一款用于測(cè)量硅片電阻率、SiC或其它半導(dǎo)體材料摻雜濃度的半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備，可支持對(duì)包括12英寸在內(nèi)的各種不同尺寸晶圓，進(jìn)行多頻率下CV特性分析。機(jī)臺(tái)配置上，SICV200具有各種尺寸的半自動(dòng)方案以及符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)的全自動(dòng)方案，可直接對(duì)接客戶工廠MES系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)。
資料顯示，優(yōu)睿譜成立于2021年，致力于打造高品質(zhì)的半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備。
今年7月，優(yōu)睿譜SiC自動(dòng)光學(xué)位錯(cuò)微管檢測(cè)設(shè)備SICD系列交付客戶，可用于SiC襯底的位錯(cuò)及微管缺陷檢測(cè)。據(jù)介紹，較國內(nèi)同類功能的設(shè)備，SICD設(shè)備在檢測(cè)速度上提升了數(shù)倍。
此外，優(yōu)睿譜FTIR設(shè)備Eos200Lite可用于SiC外延片外延層厚度及均勻性測(cè)量，目前已獲得多家頭部SiC基外延廠訂單。未來，優(yōu)睿譜有望加快出貨速度。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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