12月10日上午，科友半導(dǎo)體承擔(dān)的“8英寸碳化硅（SiC）襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項(xiàng)目階段驗(yàn)收評(píng)審會(huì)在哈爾濱市松北區(qū)召開。評(píng)審專家組認(rèn)為，科友半導(dǎo)體圓滿完成了計(jì)劃任務(wù)書2023年度階段任務(wù)，成功獲得了8英寸SiC單晶生長(zhǎng)的新技術(shù)和新工藝，建立了SiC襯底生產(chǎn)的工藝流程，制定了相關(guān)工藝流程的作業(yè)指導(dǎo)書，一致同意項(xiàng)目通過階段驗(yàn)收評(píng)審。
據(jù)悉，“8英寸SiC襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項(xiàng)目旨在推動(dòng)8英寸SiC裝備國(guó)產(chǎn)化和SiC襯底產(chǎn)業(yè)化，獲得高性能8英寸SiC長(zhǎng)晶裝備和低缺陷SiC襯底，具備批量制備能力并形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。
資料顯示，科友半導(dǎo)體成立于2018年5月，專注于半導(dǎo)體裝備研發(fā)、襯底制造、器件設(shè)計(jì)、技術(shù)轉(zhuǎn)移和科研成果轉(zhuǎn)化。科友半導(dǎo)體致力于實(shí)現(xiàn)SiC從原材料提純-裝備制造-晶體生長(zhǎng)-襯底加工-外延晶圓的材料端全產(chǎn)業(yè)鏈閉合，成為第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料和高端裝備主要供應(yīng)商。
近年來，科友半導(dǎo)體8英寸SiC襯底材料研發(fā)處于穩(wěn)步推進(jìn)當(dāng)中。2022年底，科友半導(dǎo)體通過自主設(shè)計(jì)制造的電阻長(zhǎng)晶爐產(chǎn)出直徑超過8英寸的SiC單晶，晶體表面光滑無缺陷，最大直徑超過204mm。這是科友半導(dǎo)體繼2022年10月在6英寸SiC晶體厚度上實(shí)現(xiàn)40mm突破后，在SiC晶體生長(zhǎng)尺寸和襯底尺寸上取得的又一次重大突破。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
隨后在2023年2月14日舉辦的寬禁帶半導(dǎo)體材料技術(shù)成果鑒定會(huì)上，科友半導(dǎo)體“8英寸SiC長(zhǎng)晶設(shè)備及工藝”通過中國(guó)電子學(xué)會(huì)科技成果鑒定；4月，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通；9月，科友半導(dǎo)體首批自產(chǎn)8英寸SiC襯底成功下線，至此，科友半導(dǎo)體已初步具備8英寸SiC襯底量產(chǎn)能力。
據(jù)介紹，科友半導(dǎo)體通過提高原料及氣相組分比例穩(wěn)定性、維持長(zhǎng)期生長(zhǎng)的穩(wěn)定溫場(chǎng)和濃度場(chǎng)條件、調(diào)控晶體生長(zhǎng)速率和均勻性，實(shí)現(xiàn)了高厚度、低應(yīng)力6/8英寸SiC晶體穩(wěn)定制備，在6英寸晶體厚度超過40mm的基礎(chǔ)上，8英寸晶體直徑超過210mm，厚度目前穩(wěn)定在15mm以上。
在進(jìn)行技術(shù)研發(fā)的同時(shí)，科友半導(dǎo)體同步推進(jìn)產(chǎn)能建設(shè)。目前，科友半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)一期工程已投入生產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后可年產(chǎn)10萬(wàn)片6英寸SiC襯底；二期工程也已開工，建成后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)導(dǎo)電型SiC襯底15萬(wàn)片。按照發(fā)展規(guī)劃，未來兩年科友半導(dǎo)體將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)20萬(wàn)片-30萬(wàn)片SiC襯底產(chǎn)能。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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