近日，SiC功率器件相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目迎來(lái)一波小高潮，多家廠商密集發(fā)布新進(jìn)展，其中包括士蘭微8英寸SiC功率器件生產(chǎn)線項(xiàng)目、安建功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目、智新半導(dǎo)體800V SiC模塊產(chǎn)線。
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士蘭微8英寸SiC功率器件項(xiàng)目落地廈門
5月21日，士蘭微與廈門市人民政府、廈門市海滄區(qū)人民政府在廈門市簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》（以下簡(jiǎn)稱協(xié)議協(xié)議）。
根據(jù)協(xié)議，各方合作在廈門市海滄區(qū)投資建設(shè)一條以SiC MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。該項(xiàng)目分兩期建設(shè)，項(xiàng)目一期投資規(guī)模約70億元，規(guī)劃產(chǎn)能3.5萬(wàn)片/月，二期投資規(guī)模約50億元，規(guī)劃產(chǎn)能2.5萬(wàn)片/月，兩期建設(shè)完成后，將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。
為主導(dǎo)項(xiàng)目實(shí)施，士蘭微已于2024年3月6日在廈門市海滄區(qū)先行設(shè)立了項(xiàng)目公司廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱士蘭集宏），士蘭集宏注冊(cè)資本為0.6億元，全部由士蘭微出資。
為推進(jìn)項(xiàng)目實(shí)施，士蘭微擬與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司、廈門新翼科技實(shí)業(yè)有限公司共同向子公司士蘭集宏增資41.5億元并簽署《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目之投資合作協(xié)議》。
士蘭集宏本次新增注冊(cè)資本41.5億元，由士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司、廈門新翼科技實(shí)業(yè)有限公司以貨幣方式共同認(rèn)繳，其中：士蘭微認(rèn)繳10億元，廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司認(rèn)繳10億元，廈門新翼科技實(shí)業(yè)有限公司認(rèn)繳21.50億元。本次增資完成后，士蘭集宏的注冊(cè)資本將由0.6億元增加至42.1億元。
士蘭微表示，如本次投資事項(xiàng)順利實(shí)施，將為士蘭集宏“8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目”的建設(shè)和運(yùn)營(yíng)提供資金保障，有利于加快實(shí)現(xiàn)士蘭微SiC功率器件的產(chǎn)業(yè)化，完善其在車規(guī)級(jí)高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，增強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)力。
安建功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目簽約浙江海寧
5月20日，2024年二季度海寧經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)、海昌街道項(xiàng)目集中簽約儀式在浙江海寧(中國(guó))泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園服務(wù)中心舉行，寧波安建半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱安建半導(dǎo)體）功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目簽約落地海寧經(jīng)開區(qū)，總投資1億元。
作為一家功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)及銷售公司，安建半導(dǎo)體現(xiàn)有低電壓的SGT MOSFET（分裂柵金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、高電壓的SJ MOSFET（超結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、Field Stop Trench IGBT（絕緣柵雙極晶體管）三條成熟的產(chǎn)品線。其高電壓產(chǎn)品主要應(yīng)用于高鐵、電動(dòng)汽車、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域；低電壓產(chǎn)品主要應(yīng)用于5G基站、電能轉(zhuǎn)換、綠色家電、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。
在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，安建半導(dǎo)體目前已推出具有完全自主產(chǎn)權(quán)的1200V 17mΩ SiC MOSFET，正在同步建設(shè)SiC模塊封裝產(chǎn)線和開發(fā)新一代GaN技術(shù)和產(chǎn)品。
在SiC業(yè)務(wù)方面，安建半導(dǎo)體在去年12月與積塔半導(dǎo)體就加速完成安建在積塔代工的平面型SiC MOSFET器件開發(fā)，并攜手邁進(jìn)新一代溝槽型SiC MOSFET器件開發(fā)達(dá)成合作。
智新半導(dǎo)體800V SiC模塊產(chǎn)線預(yù)計(jì)7月批量投產(chǎn)
5月20日，據(jù)湖北日?qǐng)?bào)消息，智新半導(dǎo)體第二條生產(chǎn)線兼容生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊和800V SiC模塊，預(yù)計(jì)7月份批量投產(chǎn)，10月份大批量投用。
據(jù)悉，為加速車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊國(guó)產(chǎn)替代，東風(fēng)公司在2019年6月與中國(guó)中車成立智新半導(dǎo)體，開始自主研發(fā)生產(chǎn)車規(guī)級(jí)IGBT模塊。
2021年7月，智新半導(dǎo)體以先進(jìn)的第6代IGBT芯片技術(shù)為基礎(chǔ)的生產(chǎn)線啟動(dòng)量產(chǎn)，華中地區(qū)首批自主生產(chǎn)的車規(guī)級(jí)IGBT模塊產(chǎn)品正式下線。一期產(chǎn)能30萬(wàn)只，主要生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊。
而在今年4月，智新半導(dǎo)體第二條生產(chǎn)線啟用，規(guī)劃產(chǎn)能40萬(wàn)只，兼容生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊和800V SiC模塊，產(chǎn)線國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到70%。
智新半導(dǎo)體表示，其800V SiC模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù)，可將能量轉(zhuǎn)化效率提高3%，與同樣性能的國(guó)外產(chǎn)品相比，該模塊成本降低了30%。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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