國星光電主要從事電子元器件研發(fā)、制造與銷售，主要產(chǎn)品分為LED外延片及芯片產(chǎn)品、LED封裝及組件產(chǎn)品、集成電路封測(cè)產(chǎn)品及第三代化合物半導(dǎo)體封測(cè)產(chǎn)品等。
據(jù)悉，SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體憑借高頻率、高溫穩(wěn)定性和低損耗特性，在新能源汽車、光儲(chǔ)充、工業(yè)電源等高壓高功率應(yīng)用領(lǐng)域不斷開拓，發(fā)展前景光明。在此背景下，國星光電早在2019年就成立了第三代半導(dǎo)體小組，目前已經(jīng)整合了總部研究院、風(fēng)華芯電（國星光電控股子公司）及國星半導(dǎo)體的第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)，未來將在第三代半導(dǎo)體外延、功率芯片封裝及器件領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
目前，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，國星光電已完成GaN基功率器件外延片的產(chǎn)品開發(fā)，正在全面發(fā)力第三代半導(dǎo)體封測(cè)技術(shù)，推出了低雜感SiC封裝系列產(chǎn)品、集成化GaN-IC產(chǎn)品，其中SiC SBD產(chǎn)品已獲AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證。
產(chǎn)品方面，具體來看，國星光電SiC產(chǎn)品包括SiC SBD系列，SiC MOS系列，NSiC功率模塊NS34m、NS62m、NSEAS，應(yīng)用場(chǎng)景包括光伏逆變、工業(yè)電源、充電樁、軌道交通及智能電網(wǎng)、UPS不間斷電源等工業(yè)領(lǐng)域；其GaN產(chǎn)品包括NSGaN系列、E-mode系列、Cascode系列等，適用于LED驅(qū)動(dòng)電源、適配器、插座充電面板等消費(fèi)類領(lǐng)域。
近一年內(nèi)，國星光電GaN業(yè)務(wù)布局成果持續(xù)產(chǎn)出。2023年9月，國星光電聯(lián)合佛山照明智達(dá)電工科技有限公司開發(fā)的基于第三代半導(dǎo)體GaN應(yīng)用墻插快充產(chǎn)品正式面世。據(jù)介紹，該產(chǎn)品采用了國星光電33W GaN技術(shù)，該技術(shù)主要依托DFN5*6 NSGaN 器件搭建的GaN墻插電源，進(jìn)一步提升了產(chǎn)品的充電效率及安全性能。
今年2月，國星光電公布一項(xiàng)名為“一種氮化鎵器件驅(qū)動(dòng)芯片及驅(qū)動(dòng)方法“的專利。該專利提供的GaN器件驅(qū)動(dòng)芯片，可同時(shí)兼容Cascode結(jié)構(gòu)的GaN器件和E-mode型的GaN器件，無需針對(duì)Cascode結(jié)構(gòu)的GaN器件和E-mode型的GaN器件分別設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)芯片，降低了成本。
而在5月28日，國星光電在互動(dòng)平臺(tái)表示，風(fēng)華芯電生產(chǎn)的GaN器件產(chǎn)品，目前已量產(chǎn)接單供客戶使用，意味著國星光電GaN產(chǎn)品系列有望進(jìn)一步擴(kuò)充。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。