11月6日，據(jù)天岳先進官微消息，天岳先進近日向客戶成功交付高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底。天岳先進表示，高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底將加速高性能SiC-IGBT的發(fā)展進程，實現(xiàn)高端特高壓功率器件國產(chǎn)化。
source：天岳先進
據(jù)介紹，針對高壓大功率電力電子器件用P型碳化硅單晶襯底存在的成本高、電阻率高、缺陷控制難度大等技術(shù)難題，天岳先進布局液相法技術(shù)，在2023年公布了全球首個8英寸碳化硅晶體，并于2024年推出了采用液相法制備的4度偏角P型碳化硅襯底。
據(jù)悉，液相法具有生長高品質(zhì)晶體的優(yōu)勢，在長晶原理上決定了可以生長超高品質(zhì)的碳化硅晶體。天岳先進目前在液相法領(lǐng)域獲得了低貫穿位錯和零層錯的碳化硅晶體。其通過液相法制備的P型4度偏角碳化硅襯底，電阻率小于200mΩ·cm，面內(nèi)電阻率分布均勻，結(jié)晶性良好。
市占率方面，天岳先進n型產(chǎn)品市占率全球第二，高純半絕緣型碳化硅襯底產(chǎn)品連續(xù)五年全球市占率排名第三。
2023年，天岳先進與英飛凌、博世等簽署了長期合作協(xié)議。目前，天岳先進的車規(guī)級產(chǎn)品獲得了國際客戶的認(rèn)可，實現(xiàn)了6英寸和8英寸碳化硅導(dǎo)電型襯底產(chǎn)品批量銷售。高純半絕緣碳化硅襯底產(chǎn)品，為高頻高輸出的射頻器件提供材料品質(zhì)基礎(chǔ)，適用于5G基站射頻器件、衛(wèi)星通信等應(yīng)用。（來源：天岳先進，集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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