東部高科將與封測廠合作開發(fā)碳化硅/氮化鎵
據(jù)韓媒報道，12月4日，韓國半導(dǎo)體封裝企業(yè)LB Semicon與晶圓代工廠DB HiTek（東部高科）宣布，雙方將合作開發(fā)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）產(chǎn)品。
目前，東部高科正在推進(jìn)SiC和GaN半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，而LB Semicon也計劃通過確保相應(yīng)的封裝和測試能力來提高其可靠性和技術(shù)水平。
與現(xiàn)有的基于硅晶圓的功率半導(dǎo)體相比，SiC/GaN半導(dǎo)體被認(rèn)為是具有高耐熱性和高電壓特性的產(chǎn)品。東部高科表示，后續(xù)相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計主要應(yīng)用于能源存儲系統(tǒng)（ESS）和人工智能（AI）基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。
據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，東部高科今年一直在加速推進(jìn)SiC/GaN業(yè)務(wù)。
2024年5月，東部高科表示將在今年第三季度引進(jìn)GaN器件生產(chǎn)所需的相關(guān)設(shè)備，并在今年年底前完成量產(chǎn)準(zhǔn)備，預(yù)計該GaN代工廠將在明年年初開始運營。
6月，東部高科、三星電子、SK Siltron以及無晶圓廠ABOV Semiconductor共同簽署了半導(dǎo)體業(yè)務(wù)協(xié)議（MOU），共同致力于“化合物功率半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)開發(fā)項目”。該項目將聚焦GaN功率半導(dǎo)體的研發(fā)。
7月，GaN外延企業(yè)Apro Semicon表示將與DB HiTek合作生產(chǎn)GaN芯片。
10月，東部高科宣布將在忠清北道Eumseong的Sangwoo園區(qū)內(nèi)投資擴(kuò)建半導(dǎo)體潔凈室，計劃先行建設(shè)8英寸SiC產(chǎn)線。
目前，東部高科已進(jìn)入建立8英寸試點工藝的最后階段。計劃從2026年開始，東部高科將投入生產(chǎn)設(shè)備，建立正式的量產(chǎn)體系。項目投產(chǎn)后，DB HiTek 8英寸SiC晶圓產(chǎn)能將達(dá)3.5萬片/月，這將使其月生產(chǎn)能力從目前的15.4萬片提高23%，達(dá)到19萬片。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）
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