2月26日，上海林眾電子科技有限公司智能質(zhì)造中心項目基地開工儀式舉行。建成后將為林眾電子新增2000萬只IGBT及碳化硅功率半導(dǎo)體模塊的年生產(chǎn)能力，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值將超30億元，成為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體智能制造基地。
據(jù)了解，項目位于上海市松江區(qū)，土建投資3.6億元，含設(shè)備總投資預(yù)計8億元，占地約35畝，建筑面積近60,000平方米。
圖片來源：林眾電子
項目制造的IGBT及碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品主要應(yīng)用于高速發(fā)展的工業(yè)自動化、電動汽車、風(fēng)能、太陽能等新能源行業(yè)，項目按照工業(yè)4.0標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計，充分運用了數(shù)字化、網(wǎng)聯(lián)化、智能化、賦能功率半導(dǎo)體的高質(zhì)量發(fā)展。
據(jù)了解，林眾電子創(chuàng)立于2009年，總部位于上海市松江區(qū)，是一家致力于IGBT和碳化硅模塊的研發(fā)與制造的科技公司。
2018年，通過IATF16949汽車行業(yè)質(zhì)量體系標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。
2021年，引入多家頭部機構(gòu)投資方，包括紅杉中國、小米等。
2022年，公司新能源汽車IGBT/碳化硅模塊具備批量生產(chǎn)能力，電子模塊產(chǎn)能已達(dá)60萬顆/月。
2023年，汽車功率模塊已累計裝車9萬輛，共計11家汽車客戶送樣測試。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理）
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