芯際探索新型功率半導體器件研發(fā)基地投產

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 03 月 02 日 17:20 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

2月23日,貴州芯際探索科技有限公司(以下簡稱“芯際探索”)生產基地投產儀式在貴陽市花溪區(qū)舉行。

芯際探索于2022年3月1日正式簽約,2022年7月進場裝修、調試,僅用半年時間就完成了萬級凈化廠房裝修、半導體器件封裝生產線的調試和通線。

項目規(guī)劃投資3億元,主要從事國產新型功率半導體器件研發(fā)及高可靠智慧化檢測技術服務,達產后產值可達5億元規(guī)模,年稅收可達2000萬以上。

圖片來源:拍信網正版圖庫

據了解,貴州芯際探索科技有限公司是一家貫通芯片設計、封裝、測試、可靠性驗證及應用的產業(yè)全鏈條國家級高新技術企業(yè),主要從事國產新型功率半導體元器件研發(fā)及元器件檢測與可靠性技術服務。

公司以元器件可靠性為基礎,在該領域縱向發(fā)展,自主研發(fā)了IGBT 及模塊、Si 基 /SiC 基 MOSFET 及模塊和HVIC 高邊開關系列產品。

應用市場從以往傳統(tǒng)的航空航天、商業(yè)航天領域拓展至新能源汽車、高鐵、艦船、光伏等電子電力裝置領域,滿足多領域逆變器、UPS、變頻器、電機驅動及大功率電源的應用需求。(文:集邦化合物半導體 Doris整理)

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