據(jù)韓媒昨日（3/10）日報道，三星晶圓代工部（Samsung Foundry）已經(jīng)從去年開始為英飛凌生產(chǎn)MOSFET，未來有望為其代工基于SiC/GaN的電源管理芯片。
韓媒表示，知情人士透露，雖然三星晶圓代工部到目前為止簽訂的代工合同主要是生產(chǎn)通用型電源管理芯片，但英飛凌正在下更多的單。未來，三星晶圓代工部有可能將為英飛凌代工IGBT或基于SiC/GaN的電源管理芯片。
據(jù)悉，三星與英飛凌之間合作已久，合作成效于去年開始顯現(xiàn)。目前，英飛凌已躍升全球電源管理IC領(lǐng)頭羊。但韓媒指出，三星晶圓代工部在電源管理芯片等模擬半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展不溫不火。
若此消息為真，三星晶圓代工部未來不僅收入渠道增加，收入來源也將顯著增長。按照英飛凌當(dāng)前的發(fā)展規(guī)劃，SiC/GaN第三代半導(dǎo)體是重點發(fā)展方向，英飛凌近兩年來持續(xù)擴(kuò)充第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能，還于最近收購了氮化鎵芯片龍頭GaN Systems，決心由此可見一斑。
因此，結(jié)合第三代半導(dǎo)體廣闊的市場需求，如果拿下英飛凌SiC/GaN電源管理芯片的代工訂單，三星晶圓代工部未來有望打破韓媒所說的不溫不火局面，取得更進(jìn)一步的發(fā)展。（化合物半導(dǎo)體市場Jenny編譯）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。